Nanomatériaux
Résumé Les semi-conducteurs de faible dimension présentent des performances remarquables dans de nombreuses applications de dispositifs en raison de leurs propriétés physiques, électriques et optiques uniques. Dans cet article, nous rapportons une méthode nouvelle et facile pour synthétiser In2 S3
Résumé Récemment, les matériaux semi-conducteurs ioniques (SIM) sont apparus comme de nouveaux matériaux fonctionnels, qui possédaient une conductivité ionique élevée avec des applications réussies en tant quélectrolyte dans les piles à combustible à oxyde solide à basse température (LT-SOFC) avanc
Résumé Cette étude bibliométrique a examiné les tendances publiques dans les domaines des nanoparticules qui se limitent à ladministration de médicaments et à la littérature sur les nanoparticules magnétiques publiée de 1980 à octobre 2017. Les données ont été collectées à partir des collections de
Résumé Les effets de Cu+ diffus dans des transistors à couche mince (TFT) amorphes doxyde dindium-gallium-zinc (a-IGZO) sur la microstructure et les performances au cours dun processus darrêt de gravure propre (CL-ES) et dun processus de gravure par canal arrière (BCE) sont étudiés et comparés . La
Résumé Pour de nombreux cancers, la détection précoce est la clé pour améliorer la survie et réduire la morbidité, qui est associée aux résections radicales dues à un diagnostic tardif. Ici, nous décrivons lefficacité des nanoparticules dor conjuguées à des anticorps primaires (AuNPs) pour cibler s
Résumé Les hydroxydes de métaux de transition et le composite de graphène sont très prometteurs pour être la prochaine génération de matériaux délectrode haute performance pour les applications de stockage dénergie. Ici, nous fabriquons le Cu(OH)2 en forme de feuille de cyprès composite nanostructu
Résumé Dans cette étude, nous développons une méthode facile pour fabriquer un substrat de diffusion Raman à surface améliorée hautement sensible et stable (SERS), qui est réalisé en combinant la co-pulvérisation avec la technologie de dépôt de couche atomique. Pour accomplir la préparation du subs
Résumé Nous avons réalisé une étude systématique de linfluence des conditions environnementales sur les caractéristiques de performance électrique des transistors à couche mince 2,7-dioctyl [1] benzothieno[3,2-b][1]-benzothiophène (C8-BTBT) traités en solution. (TFT). Quatre conditions dexposition
Résumé Des matrices de nanotiges (NR) à base dAlGaN dans lultraviolet profond ont été fabriquées par des techniques de lithographie par nanoimpression et de gravure sèche descendante à partir dune plaquette LED entièrement structurelle. Les propriétés structurelles périodiques hautement ordonnées e
Résumé Nous démontrons leffet de capacité négative (NC) de HfZrOx -à base de transistors à effet de champ (FET) dans les expériences. I amélioré DS , SS et G m de NCFET ont été obtenus par rapport au FET à semi-conducteur à oxyde métallique (MOS) de contrôle. Dans cette expérience, les transistors
Résumé La photoluminescence accordable (PL) des points de carbone dopés à lazote (NCD) a attiré beaucoup dattention ces dernières années alors que le mécanisme spécifique est toujours en litige. Ici, les MNT à émission jaune ont été synthétisées avec succès via une approche hydrothermale facile. Tr
Résumé Les propriétés structurelles et électroniques dhétérostructures GaN van der Waals monocouche et bicouche bleu phosphorène/graphène sont étudiées à laide de calculs de premier principe. Les résultats montrent que lhétérostructure GaN monocouche-bleu phosphorène/graphène est un semi-conducteur
Résumé Un nouveau redresseur commandé au silicium à haute tension de maintien compatible avec le processus CMOS (HHV-SCR) pour la protection contre les décharges électrostatiques (ESD) est proposé et démontré par simulation et test dimpulsion de ligne de transmission (TLP). La région de recombinais
Résumé Lapplication pratique des batteries lithium/soufre (Li/S) est entravée par la migration des polysulfures solubles (Li2 Sn , 4 ≤ n ≤ 8) de la cathode à lanode, conduisant à une mauvaise stabilité électrochimique de la cellule. Pour résoudre ce problème, dans la présente étude, un TiO2 /carbo
Résumé La mémoire non volatile (NVM) jouera un rôle très important dans les technologies numériques de prochaine génération, y compris lInternet des objets. Les memristors à oxyde métallique, notamment à base de HfO2 , ont été privilégiés par de nombreux chercheurs en raison de sa structure simple,
Résumé Pour réaliser une ingénierie de structure de bande réalisable et donc une efficacité de luminescence améliorée, InGaNBi est un alliage attrayant qui peut être exploité dans des dispositifs photoniques de lumière visible et infrarouge moyen. Dans la présente étude, les propriétés structurelle
Résumé Nous rapportons la croissance de nanofils dInAs sans catalyseur dopé au Te par épitaxie par faisceau moléculaire sur des substrats de silicium (111). Des changements dans la morphologie du fil, cest-à-dire une diminution de la longueur et une augmentation du diamètre, ont été observés avec l
Résumé Lutilisation répandue de nanoparticules manufacturées (ENP) a augmenté notre exposition à ces particules. Les techniques analytiques actuellement disponibles ne parviennent pas à quantifier et à analyser simultanément les propriétés physiques des ENP dans les tissus biologiques. Par conséque
Résumé Leffet du traitement de nitruration sur lalignement des bandes entre MoS à quelques couches2 et HfO2 a été étudiée par spectroscopie photoélectronique aux rayons X. Les décalages de bande de valence (conduction) de MoS2 /HfO2 avec et sans traitement de nitruration ont été déterminés à 2,09 ±
Résumé Cette étude propose une nouvelle unité de rétroéclairage (BLU) à diodes électroluminescentes (mini-CSPLED) emballées à léchelle dune mini-puce à éclairage direct qui utilise un film à points quantiques (QD), une plaque de diffusion et deux films à prismes pour améliorer luniformité de la lum
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