Impact du chauffage Joule sur la commutation résistive dans les cellules mémoire AlOx oxydées thermiquement

Résumé

Le dispositif mémoire à commutation résistive basé sur AlO_x est fabriqué par un processus de diffusion d'oxydation consistant à déposer un film d'Al sur un substrat ITO et à recuire à 400 °C sous vide. Une couche d'interface AlO_x d'une épaisseur d'environ 20 nm se forme comme couche de commutation résistive. Des comportements de commutation résistive (CR) bipolaire et unipolaire sont obtenus lorsque le courant de conformité est limité (≥ 1 mA). Dans le comportement CR unipolaire, les dispositifs n'effectuent pas de cycles set/réinitialisation à basse température (40 K), suggérant que le chauffage Joule est essentiel pour le comportement CR unipolaire. Dans le comportement CR bipolaire, la réinitialisation abrupte se transforme en réinitialisation graduelle avec la diminution de température, suggérant que le chauffage Joule affecte la rupture du filament conducteur. De plus, les mécanismes de conduction dans les états de haute résistance (HRS) et de basse résistance (LRS) sont révélés par la dépendance en température des courbes I-V. Pour le LRS, le mécanisme de conduction est dû au saut d'électrons, avec une énergie d'activation de saut de 9,93 meV. Pour le HRS, le mécanisme de transport est dominé par la conduction limitée par la charge d'espace (SCLC).

Contexte

La mémoire à accès aléatoire à commutation résistive (RRAM) a attiré une attention considérable comme l'un des candidats les plus prometteurs pour la mémoire non volatile de prochaine génération [1,2,3,4]. Comparée à la mémoire flash commercialisée traditionnelle et aux autres mémoires non volatiles émergentes, la RRAM a une structure simple (MIM), une vitesse d'écriture/effacement rapide et d'excellentes performances d'endurance et de rétention [5,6,7,8]. Comme l'un des matériaux de commutation résistive compatibles avec la technologie CMOS conventionnelle, la RRAM basée sur AlO_x a aussi été largement étudiée, ayant un potentiel d'application plus attractif grâce à sa capacité de stockage multiniveau et son auto-redressement [9, 10]. Généralement, deux types de commutation sont observés dans les dispositifs à oxyde métallique : (1) commutation unipolaire, indépendante de la polarité de la tension appliquée, et (2) commutation bipolaire, qui dépend de la polarité. Leurs mécanismes de commutation inhérents sont différents. De nombreux facteurs peuvent affecter le type de commutation résistive : structure du dispositif, matériaux d'électrodes, courant de programmation [11]. La coexistence de commutation unipolaire et bipolaire a été rapportée dans certains matériaux à oxyde métallique comme HfO₂, NiO et ZnO [12,13,14,15,16]. Le comportement CR bipolaire est lié à la formation/rupture de filaments conducteurs composés de lacunes d'oxygène. Le comportement CR unipolaire est souvent dû à une rupture thermique de filament conducteur ou une transition de structure de phase. Le comportement CR bipolaire est généralement observé dans la RRAM basée sur AlO_x. La coexistence des comportements unipolaire et bipolaire dans la RRAM AlO_x a rarement été rapportée, et le mécanisme physique de commutation dans le comportement CR unipolaire n'a pas encore été clarifié.

Dans cet article, nous rapportons la coexistence des comportements CR unipolaire et bipolaire dans la RRAM basée sur AlO_x. En étudiant les caractéristiques de commutation résistive unipolaire et bipolaire pour différents courants de conformité, le chauffage Joule est utilisé pour expliquer la rupture des filaments conducteurs dans le processus de réinitialisation du comportement CR unipolaire. Lorsque la température locale à l'intérieur des filaments conducteurs atteint la température critique, les filaments se brisent et le comportement CR unipolaire se produit. De plus, l'utilisation du chauffage Joule pour assister la rupture des filaments conducteurs dans le processus de réinitialisation est proposée pour le comportement CR bipolaire. L'effet du chauffage Joule est bien vérifié en plaçant le dispositif à différentes températures. Parallèlement, l'effet de performance à différentes températures pour la RRAM AlO_x est aussi investigué. La stabilité et la contrôlabilité du comportement CR sont essentielles pour l'application future de réseaux RRAM. Une compréhension plus approfondie de l'effet du chauffage Joule dans le processus de commutation résistive est importante et nécessaire. De plus, nous investiguons le mécanisme de conduction par la dépendance en température du courant pour l'état de haute résistance (HRS) et l'état de basse résistance (LRS).

Méthodes

Les dispositifs mémoire à commutation résistive basés sur AlO_x sont fabriqués par le processus suivant. Le schéma est montré en Fig. 1(a)–(d). L'Al et le Pt sont pulvérisés en séquence sur la surface du substrat verre ITO avec un masque d'ombre pour former des spots circulaires de 200 μm de diamètre. La couche de Pt recouvrant l'Al évite l'oxydation de la surface d'Al pendant le recuit suivant. Le dispositif est recuit à 400 °C pendant 4 h sous vide. Un échantillon non recuit sert de référence. La photographie MEB en coupe transversale révèle la structure du dispositif. Une structure à trois couches du dispositif Pt/Al/ITO recuit est montrée dans l'encart de Fig. 1(e). La couche supérieure est une électrode Pt (~ 66 nm). La couche intermédiaire est une couche Al recuite (~ 256 nm). La couche inférieure est une électrode ITO (~ 161 nm). La microstructure est analysée par microscopie électronique à transmission à haute résolution (HRTEM). La distribution des éléments est obtenue par spectroscopie à dispersion d'énergie par rayons X (EDX) sur le même équipement. Le test I-V est effectué avec l'analyseur de paramètres semi-conducteurs Agilent B1500A en mode balayage DC à température ambiante. La dépendance en température des caractéristiques I-V est détectée dans le système Lake Shore CRX-4K sous vide de 5 × 10⁻⁵ Torr.

Schéma du processus de fabrication. (a) Substrat ITO/verre. (b) Dépôt de l'électrode Al par pulvérisation. (c) Pt recouvrant l'électrode Al. (d) Formation de la couche d'interface AlO_x par recuit à 400 °C sous vide. (e) Image MEB du dispositif Pt/Al/ITO recuit. Les épaisseurs de Pt, Al et ITO sont d'environ 66 nm, 256 nm et 161 nm respectivement

Résultats et discussion

Pour vérifier les changements de microstructure après recuit des dispositifs Pt/Al/ITO, le HRTEM examine la région entre l'Al et les substrats verre ITO. Les Figures 2a et b montrent les échantillons non recuit et recuit après 4 h. Comparé à l'échantillon non recuit, une couche d'interface évidente est trouvée dans l'échantillon recuit. Son épaisseur est ~ 20 nm. Les spectres EDX identifient la distribution des éléments entre Al et ITO (Fig. 2c). Une diffusion évidente d'atomes d'oxygène s'est produite à l'interface Al/ITO pendant le recuit. Les autres éléments (In, Sn) ne montrent pas de diffusion significative dans les spectres EDX. Comparé à d'autres métaux, l'Al a une énergie libre de Gibbs standard plus basse (− 1582,9 kJ/mol) pour former les oxydes métalliques correspondants [17]. On en déduit que la couche d'interface AlO_x s'est formée pendant le recuit.

a Image HRTEM en coupe transversale du Pt/Al/ITO non recuit. b Image HRTEM en coupe transversale de l'échantillon recuit après 4 h. Une couche d'interface est formée. c Spectres EDX de cinq éléments (Al, O, In, Sn, Si)

La Figure 3a montre la caractéristique courant-tension (I-V) de l'échantillon non recuit. Aucun comportement de commutation résistive n'est observé, cohérent avec les résultats MET non recuit. Aucune couche de commutation résistive AlO_x n'est formée. L'encart montre un schéma du montage électrique. Pendant la mesure I-V, la tension est appliquée à l'électrode supérieure (Pt), l'électrode inférieure (ITO) étant mise à la terre. Les dispositifs recuits sont mesurés sous les mêmes conditions. Le dispositif recuit montre la coexistence des comportements CR unipolaire et bipolaire, activables indépendamment. La Figure 3b montre 50 cycles de balayage du comportement CR unipolaire. Le courant de conformité est fixé à 10 mA pour éviter la rupture dure pendant le processus set. Les flèches indiquent la direction du balayage de tension. Un balayage de tension positive (0 V → 3,5 V) est appliqué à l'électrode Pt. Le dispositif passe d'un état de haute résistance à un état de basse résistance (processus set ou programmation). Ensuite, un autre balayage (0 V → 1 V) cause une réduction abrupte du courant sans courant de conformité. Le dispositif revient à l'HRS (processus reset ou effacement). Aucune tension de formage évidente n'est requise. L'encart montre les caractéristiques d'endurance sur 80 cycles, le ratio R_on/R_off étant d'environ 10³ à une tension de lecture de 0,1 V. La Figure 3c montre le comportement CR bipolaire. Le comportement est observé avec polarité de tension opposée. Les tensions de balayage set et reset suivent la séquence 0 V → +3,4 V → 0 V → −2,5 V → 0 V. Le dispositif passe de l'HRS au LRS sous tension positive sur l'électrode Pt supérieure, puis revient à l'HRS sous tension négative. Similairement au cas unipolaire, aucun processus d'électroformage évident n'est observé. L'encart montre l'endurance sur 150 cycles avec ratio R_on/R_off ~ 10³ à 0,1 V.

a Courbe I-V pour le dispositif Pt/Al/ITO non recuit. L'encart montre le schéma de mesure électrique. L'électrode Pt supérieure reçoit la tension de polarisation, l'ITO est à la terre. b Courbe I-V sur 50 cycles pour commutation unipolaire (recuit 4 h). La ligne pointillée indique le courant de conformité Icc = 10 mA. La ligne rouge indique le premier processus set et reset. Les flèches indiquent la direction du balayage. Tension de lecture 0,1 V. L'encart montre l'endurance. c Courbe I-V sur 50 cycles pour commutation bipolaire (recuit 4 h). L'encart montre l'endurance. Tension de lecture 0,1 V

Généralement, le comportement CR bipolaire est souvent observé dans les dispositifs RRAM basés sur AlO_x. Le mécanisme bipolaire est dû à la formation/rupture de filaments conducteurs composés de lacunes d'oxygène [11, 16]. Sous tension positive sur l'électrode supérieure, les ions oxygène (O²⁻) migrent vers l'électrode supérieure, laissant des lacunes d'oxygène qui s'accumulent pour former les filaments conducteurs. Le dispositif passe au LRS. Sous tension négative, les ions oxygène sont extraits vers l'AlO_x et les filaments se rompent. Le mécanisme bipolaire est lié au mécanisme électrochimique. Cependant, pour le comportement unipolaire, les processus set et reset se produisent avec la même polarité de tension. La commutation unipolaire est déclenchée par la rupture thermique du filament conducteur. Le mécanisme est expliqué par un mécanisme thermique dans d'autres dispositifs RRAM [16]. Pour vérifier que le chauffage Joule explique le comportement unipolaire dans la RRAM AlO_x, différents courants de conformité contrôlent le flux de courant.

La Figure 4a montre la caractéristique I-V du comportement bipolaire pour différents courants de conformité. La résistance du filament conducteur peut être contrôlée par le courant de conformité au set. Une résistance LRS plus faible (Icc = 10 mA, R_LRS ~ 40 Ω ; Icc = 1 mA, R_LRS ~ 300 Ω ; Icc = 100 μA, R_LRS ~ 8 kΩ) est obtenue en augmentant le courant de conformité. La résistance LRS (R_LRS) varie de dizaines d'ohms à des milliers d'ohms sous différents courants de conformité. Les différentes valeurs R_LRS sont liées à la formation de filaments conducteurs de tailles différentes. Le chauffage Joule diminue avec la taille du filament [18]. Notamment, aux courants Icc = 100 μA et 1 mA, un processus reset graduel est observé pendant le reset bipolaire, différent du reset abrupte à Icc = 10 mA. Le reset graduel s'explique par la rupture progressive du filament [19]. Le reset abrupte est lié à la rupture assistée par chauffage Joule [20]. L'influence du chauffage Joule sur le comportement CR bipolaire se reflète dans le processus reset abrupte. Le comportement bipolaire peut être considéré comme une combinaison de mécanisme électrochimique et chauffage Joule à forts courants de programmation [13, 21].

a Courbes I-V bipolaires à différents courants de conformité : Icc = 10 mA (pointillés), Icc = 1 mA (bleu), Icc = 100 μA (vert). Résistance LRS à différents courants à lecture 0,1 V (Icc = 10 mA, RLRS ~ 40 Ω ; Icc = 1 mA, RLRS ~ 300 Ω ; Icc = 100 μA, RLRS ~ 8 kΩ). b Courbes I-V unipolaires à différents courants de conformité : Icc = 10 mA (pointillés), Icc = 1 mA (bleu), Icc = 100 μA (noir)

La Figure 4b montre les caractéristiques unipolaires sous différents courants de conformité (Icc = 10 mA, 1 mA, 100 μA). La commutation unipolaire n'est observée qu'aux courants Icc = 10 mA et 1 mA. Comparé à la tension de reset à Icc = 10 mA (dans 1 V), la tension de reset (Icc = 1 mA) augmente évidemment au-delà de 1,5 V et le courant de reset diminue d'environ deux ordres de grandeur (~ 724 μA) après l'opération reset. La valeur de courant après reset approche le courant de conformité. Le dispositif ne peut pas revenir à l'état initial (~ 100 kΩ). Russo et al. ont proposé la température critique (T_crit) pour le processus reset unipolaire dans le modèle de dissolution thermique auto-accélérée [22]. Lorsque la température à l'intérieur du filament conducteur atteint la valeur critique sous tension de reset appliquée entre les deux électrodes, le filament se dissout et se brise à l'état reset. La relation fonctionnelle entre température critique, tension, courant et résistance est :

$$ {T}_{\mathrm{crit}}={T}_0+{P}_{\mathrm{reset}}\cdotp {R}_{\mathrm{th}} $$

T₀ est la température ambiante, R_th la résistance thermique effective du filament conducteur, à dépendance de taille plus faible, et la puissance électrique s'écrit P_reset = V_reset · I_reset. Pour le courant de conformité inférieur Icc = 1 mA, une tension de reset plus grande est nécessaire. Quand le point le plus chaud du filament atteint la température critique, la stabilité thermique se dégrade. Les filaments se rompent ensuite. Le comportement CR unipolaire se produit. Cependant, le courant LRS est plus faible pour Icc = 100 μA. Même si la tension de reset augmente, la valeur de courant peine à atteindre le niveau des courants de conformité plus élevés (Icc = 1 mA et 10 mA). Le chauffage Joule généré n'est pas suffisant pour atteindre la température critique. Ainsi, aucun comportement CR unipolaire n'est observé. Si la tension de reset est augmentée davantage, le dispositif peut se briser. Par conséquent, le comportement CR unipolaire est entraîné par le chauffage Joule dans la RRAM AlO_x.

Pour approfondir l'influence du chauffage Joule sur le comportement CR, les dispositifs sont placés à différentes températures. Pendant le processus set, le courant de conformité Icc = 10 mA est utilisé. Les courbes I-V du comportement bipolaire sont montrées en Fig. 5a. Il est notable que le processus reset abrupte se transforme en processus reset graduel avec la diminution de température jusqu'à 40 K. Comparé à 300 K et 340 K, le chauffage Joule peut être bien dissipé à 40 K. L'effet du chauffage Joule est réduit au minimum. Ainsi, le mécanisme électrochimique joue un rôle majeur pendant le reset dans le comportement bipolaire. Le reset graduel s'explique par un filament partiellement rompu. Le dispositif ne peut pas être réinitialisé à l'état initial à la même tension de reset. Ce phénomène est aussi observé dans d'autres matériaux à oxyde métallique [23]. Les Figures 5b et c montrent la distribution statistique du courant de fonctionnement (HRS, LRS) et de la tension (SET, RESET) en commutation bipolaire à différentes températures. Clairement, le courant HRS diminue avec l'augmentation de température. De plus, la tension SET augmente avec la température. Ces observations suggèrent que le chauffage Joule affecte la rupture des filaments conducteurs. Quand la température augmente, moins de filaments restent dans la couche de commutation AlO_x pendant le reset. Des états HRS plus isolants sont obtenus. La tension SET augmente évidemment. Le courant LRS augmente légèrement avec la température, correspondant au transport caractéristique d'un semi-conducteur. La Figure 5d montre la caractéristique I-V du comportement unipolaire à différentes températures. Comparé à 300 K et 340 K, le dispositif ne peut pas revenir à l'état initial à 40 K, dû à la dissipation thermique. La température à l'intérieur du filament n'atteint pas la température critique. Le filament ne peut pas être complètement rompu. Le dispositif ne peut pas repasser au LRS au courant Icc = 10 mA (ligne pointillée bleue). Les Figures 5e et f montrent la distribution statistique du courant (HRS, LRS) et tension (SET, RESET) en commutation unipolaire à différentes températures. Similairement, un courant HRS plus élevé et une tension SET plus grande avec l'augmentation de température sont observés. Ainsi, le chauffage Joule est considéré comme essentiel pour le comportement CR unipolaire.

a Courbes I-V bipolaires à différentes températures (40 K bleu, 300 K pointillés rouges, 340 K vert) avec Icc = 10 mA. b Résultat statistique des courants HRS et LRS pour 20 cycles bipolaires à différentes températures (40 K, 300 K, 340 K). c Résultat statistique des tensions SET et RESET pour 20 cycles bipolaires à différentes températures. d Courbes I-V unipolaires à différentes températures (40 K bleu, 300 K pointillés rouges, 340 K vert) avec Icc = 10 mA. La ligne pointillée bleue indique le prochain processus set après reset. e Résultat statistique des courants HRS et LRS pour 20 cycles unipolaires à différentes températures (300 K, 340 K). f Résultat statistique des tensions SET et RESET pour 20 cycles unipolaires à différentes températures

Pour mieux étudier le mécanisme de conduction, nous estimons préliminairement le mécanisme de commutation en ajustant la courbe I-V. La courbe est retracée en double-logarithmique, Fig. 6a. Le LRS montre un comportement conducteur ohmique avec une pente proche de 1, probablement causé par la formation de filaments conducteurs [24]. Le HRS se divise en deux régions : à basse tension (< 0,4 V, région 1), conduction ohmique ; à haute tension (> 0,4 V, région 2), pente proche de 2. Le comportement de transport est cohérent avec la conduction limitée par la charge d'espace (SCLC) [25]. Dans le modèle SCLC, la densité de courant J pour émissions SCLC contrôlées par pièges est décrite par :

$$ {J}_{\mathrm{ohm}}=q{n}_0\mu \frac{V}{d} $$ $$ J=\frac{9}{8}{\varepsilon}_r{\varepsilon}_0\mu \theta \left(\frac{V^2}{d^3}\right) $$

a Ajustement linéaire des courbes I-V en échelle log-log en polarisation positive. b Dépendance en température du courant HRS de 250 K à 340 K. c Énergie d'activation E_α à différentes tensions. L'encart montre un graphique d'Arrhenius des données courant-température à différentes tensions en HRS. d Dépendance en température du courant LRS de 250 K à 340 K. e Relation de conductivité ln I versus T^−1/4. Tension de lecture 0,1 V. f Énergie d'activation E_α = 9,93 meV calculée

où q est la charge élémentaire, n₀ les porteurs libres générés thermiquement, μ la mobilité électronique, ε_r la constante diélectrique statique, ε₀ la permittivité du vide, θ le rapport densité de porteurs libres/densité totale, V la tension appliquée et d l'épaisseur du film. En région 1 (basse tension), correspondant à la loi d'Ohm (I ∝ V¹), un petit nombre de porteurs peut être généré par excitation thermique et excité vers la bande de conduction depuis la bande de valence ou le niveau d'impureté. Quand la tension augmente, les porteurs injectés sont piégés. La conduction devient limitée par la charge d'espace. Le courant HRS suit une loi carrée (I ∝ V²) en région 2. La Figure 6b montre la dépendance en température du courant HRS. Le courant augmente avec la température, suggérant un comportement conducteur de type semi-conducteur [26, 27]. D'après les pentes des graphiques d'Arrhenius (encart Fig. 6c), l'énergie d'activation (E_α) de 0,01 V à 2 V est résumée Fig. 6c. Les résultats indiquent que E_α est relativement élevé (~ 0,15 eV) en région de basse tension avec conduction ohmique. À mesure que la tension augmente, E_α diminue, caractéristique du SCLC [28]. Les analyses I-V température-dépendantes soutiennent clairement le mécanisme SCLC en HRS.

La Figure 6d montre que le courant LRS augmente légèrement avec la température, montrant un comportement semi-conducteur. Les filaments conducteurs métalliques sont exclus. La Figure 6e montre une relation linéaire entre ln(I) et T^−1/4, suggérant que le mécanisme LRS obéit au modèle de saut à portée variable de Mott [29, 30]. Si les niveaux d'énergie de deux états localisés sont assez proches et que les fonctions d'onde se chevauchent, les électrons peuvent sauter entre les deux sites, assistés par l'énergie thermique. La valeur d'énergie d'activation E_α est 9,93 meV pour le LRS (Fig. 6f), inférieure à 26 meV (énergie d'activation à température ambiante). Cette valeur assure le saut à portée variable des électrons à température ambiante. Dans d'autres semi-conducteurs à oxyde métallique, le mécanisme de saut est aussi observé en LRS, et l'ajustement I-V montre un comportement conducteur ohmique à température ambiante [31]. Ainsi, le mécanisme de commutation résistive en LRS est lié aux lacunes d'oxygène dans les filaments conducteurs.

La Figure 7 illustre les modèles de commutation résistive unipolaire et bipolaire. Pour les deux comportements dans le processus set, les ions oxygène migrent vers l'électrode supérieure sous champ électrique. Finalement, les ions oxygène sont réduits, laissant des lacunes d'oxygène dans la couche de commutation AlO_x. Une grande accumulation forme des filaments conducteurs d'oxygène entre l'ITO et la couche Al non oxydée. Le dispositif passe au LRS. Les électrons sautent à travers le filament composé de lacunes d'oxygène (Fig. 7a, c). Pour le comportement unipolaire en reset, le courant de conformité est retiré. La polarisation positive est réappliquée, le courant augmente avec la tension. Quand le point le plus chaud du filament atteint la température critique, la stabilité se dégrade et le filament se brise facilement. Le dispositif passe à l'HRS après destruction du filament (Fig. 7b). Pour le comportement bipolaire, une polarisation négative est appliquée à l'électrode supérieure. Les ions oxygène sont extraits vers la couche d'interface AlO_x. Les filaments se rompent (Fig. 7d). Le dispositif revient à l'HRS. Quand le courant de reset est relativement élevé, le chauffage Joule renforce la rupture du filament. Une transition abrupte apparaît au reset. Le mécanisme de transport électronique en HRS est dominé par SCLC dans les deux comportements.

Schéma du mécanisme de commutation du dispositif RRAM basé sur AlO_x. (a) Processus set unipolaire sous tension positive. Filaments conducteurs de lacunes d'oxygène. Flèches noires : direction migration électronique. (b) Processus reset unipolaire sous tension positive. Filament rompu par chauffage Joule. Électrons piégés par défauts. Conduction HRS dominée par SCLC. (c) Processus set bipolaire sous tension positive. (d) Processus reset bipolaire sous tension négative. Rupture des filaments conducteurs

Conclusions

Dans cet article, la coexistence des comportements de commutation résistive unipolaire et bipolaire est observée dans la RRAM basée sur AlO_x. En étudiant les caractéristiques courant-tension de la commutation unipolaire et bipolaire à différents courants de conformité et températures de fonctionnement variables, nous proposons que le chauffage Joule est essentiel pour le comportement CR unipolaire dans la RRAM AlO_x. Quand un fort courant de programmation traverse le filament conducteur pendant le reset, la température locale dans les filaments atteint la température critique, et les filaments se rompent. Le comportement CR unipolaire se produit. Dans le comportement CR bipolaire, le processus reset est attribué non seulement au mécanisme électrochimique mais aussi au chauffage Joule. La chaleur provoque la rupture du filament quand le dispositif a un fort courant d'effacement, résultant en une résistance HRS plus élevée et une tension SET plus grande dans la RRAM AlO_x. Ainsi, le chauffage Joule est un facteur non négligeable de la performance CR. Ces résultats aident à comprendre profondément l'influence du chauffage Joule sur le comportement de commutation résistive dans la RRAM AlO_x. De plus, le mécanisme de conduction est étudié. Le mécanisme pour le LRS est dû au saut d'électrons à travers les chemins conducteurs. Pour le HRS, le mécanisme est dominé par le SCLC.

Disponibilité des données et matériaux

Toutes les données et matériaux sont disponibles sans restriction.

Abréviations

CR :

Commutation résistive

SCLC :

Conduction limitée par la charge d'espace

RRAM :

Mémoire à accès aléatoire à commutation résistive

HRS :

État de haute résistance

LRS :

État de basse résistance

MEB :

Microscopie électronique à balayage

HRTEM :

Microscopie électronique à transmission à haute résolution

EDX :

Spectroscopie à dispersion d'énergie par rayons X