Technologie industrielle
Diodes Schottky Les diodes Schottky sont des dispositifs jonction métal-N, aussi appelées diodes à porteurs chauds. Elles offrent une commutation exceptionnellement rapide, un temps de récupération inverse faible, une chute de tension directe de 0,25–0,4 V pour jonction métal-silicium, et une capaci
Quest-ce quune diode Zener ? Une diode Zener est un dispositif redresseur spécialisé conçu pour tolérer un claquage inverse contrôlé sans dommage. Alors que les diodes ordinaires échouent sous polarisation inverse au-dessus de leur tension de claquage, une diode Zener maintient son intégrité et offr
Les diodes sont des composants polyvalents qui peuvent agir comme commutateurs rapides dans les domaines numérique et analogique. En polarisant une diode directement ou inversement, elle bascule entre un chemin de faible impédanse (direct) et un circuit ouvert (inverse), lui permettant deffectuer de
Les diodes sont largement employées pour maîtriser les pics de haute tension qui surgissent quand le courant à travers une inductance est brutalement interrompu — un phénomène connu sous le nom de retour inductif (inductive kickback). Retour inductif sans protection Considérez le circuit simple mont
Un multiplicateur de tension est un redresseur spécialisé qui produit une sortie DC qui est un multiple entier du pic AC dentrée — communément 2×, 3× ou 4×. En pratique, une source AC de 100 V crête peut générer environ 200 V DC avec un doubleur, ou 400 V DC avec un quadrupleur, bien que la charge r
Les circuits décalageurs (clamper), ou restaureurs DC, sont des dispositifs simples mais puissants qui décalent le pic dune forme donde à un niveau DC prédéterminé. La topologie typique consiste en un condensateur en série avec une diode et une référence DC. Quand le signal dentrée dépasse la charge
Un limiteur (clipper) est un circuit électronique passif qui limite lamplitude de crête dune forme donde. Lanalyse suivante se concentre sur une configuration limiteur négatif, illustrant comment une seule diode et une résistance restreignent le signal sous un seuil de tension défini. Analyse du fon
Un détecteur de crête est un circuit simple qui capture la tension maximale dune forme donde AC et la maintient comme niveau DC. Il consiste en une diode et un condensateur en série, la tension du condensateur reflétant le pic du signal dentrée. Fonctionnement du détecteur de crête Le schéma ci-dess
Quest-ce que le redressement ? Le redressement est la conversion du courant alternatif (AC) en courant continu (DC) en utilisant des dispositifs qui ne permettent le courant que dans un sens. La diode semi-conductrice est lélément le plus courant assurant cette fonction dans les alimentations modern
Au-delà de la chute de tension directe (Vf) et de la tension inverse de crête (PIV), les diodes ont de nombreuses autres spécifications essentielles pour la conception de circuits et la sélection de composants. Fiches techniques Les fiches techniques pour une grande variété de composants semi-conduc
Comprendre la polarité dune diode Identifier avec précision la cathode et lanode dune diode est essentiel pour tout amateur et technicien en électronique. Une diode fonctionne comme une valve unidirectionnelle pour le courant, et un simple ohmmètre DC peut confirmer ce comportement. Quand les pointe
Tout sur les diodes Une diode est un dispositif semi-conducteur qui permet au courant électrique de circuler dans un sens avec une faible résistance, tout en le bloquant dans le sens opposé. Dans la plupart des conceptions de circuits modernes, le terme « diode » désigne des dispositifs petit signal
Le programme de simulation électronique SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) fournit des éléments de circuit et des modèles pour les semi-conducteurs. Les noms déléments SPICE commençant par d, q, j ou m correspondent respectivement aux éléments diode, BJT, JFET et MOSFET. Ces
Depuis les années 1960, la technologie CMOS a suivi une trajectoire de miniaturisation prévisible : les longueurs de grille ont rétréci de léchelle micron aux nœuds 65 nm en production, avec des transistors 45 nm attendus pour 2007. À 65 nm, les courants de fuite pilotés par le tunnel quantique comm
Les dispositifs supraconducteurs exploitent les propriétés uniques de matériaux qui présentent une résistance électrique nulle et expulsent les champs magnétiques en dessous dune température critique. Bien quils ne soient pas encore grand public, ils permettent une amplification de signal ultra-sens
Laperçu suivant se concentre exclusivement sur la fabrication de semi-conducteurs à base de silicium, le matériau prédominant dans les circuits intégrés modernes. La capacité unique du silicium à former une couche doxyde stable le rend idéal pour le patronnage précis des transistors et autres microc
Les thyristors sont une famille de dispositifs semi-conducteurs à conduction bipolaire construits à partir de couches N-P-N-P alternées. La famille comprend les redresseurs commandés au silicium (SCR), les TRIAC, les commutateurs à extinction par grille (GTO), les commutateurs commandés au silicium
Le transistor à effet de champ à grille isolée (IGFET), communément appelé transistor à effet de champ metal-oxide-semiconductor (MOSFET), est une variante majeure de la famille des transistors à effet de champ. Dans lélectronique contemporaine, les MOSFET dominent les circuits intégrés numériques,
Le concept de transistor à effet de champ remonte aux brevets américains de Julius Lilienfeld en 1926 et 1933 (1 900 018). En 1947, Shockley, Brattain et Bardeen ont exploré le dispositif, mais des obstacles pratiques les ont redirigés vers le transistor bipolaire. La théorie séminale de Shockley es
Histoire et origine Le transistor à jonction bipolaire (BJT) doit son nom à la conduction simultanée délectrons et de trous dans un monocristal. Le premier BJT pratique a été inventé aux Bell Labs par William Shockley, Walter Brattain et John Bardeen fin 1947 et publié en 1948. Le trio a reçu le pri
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Nanorods d'alumine synthétisés à partir de boue d'alumine contenant du chrome : influence du dopage Cr, Fe et Mg sur la transformation cristalline