Optimisation de la gravure ICP à l'argon d'oxydes pérovskites pour applications photoniques avancées

Résumé

Nous avons analysé la gravure sèche d'oxydes pérovskites en utilisant des plasmas couplés inductivement (ICP) à base d'argon pour des applications photoniques. Diverses conditions de chambre et leurs effets sur les taux de gravure ont été démontrés sur la base de niobate de lithium coupé Z (LN). Les résultats mesurés sont prévisibles et reproductibles et peuvent être appliqués à d'autres oxydes pérovskites, tels que le LN coupé X et l'oxyde de baryum titane (BTO). La rugosité de surface est meilleure pour le LN et le BTO gravés comparés à leurs homologues tels que déposés, comme confirmé par microscopie à force atomique (AFM). Les méthodes de spectroscopie à dispersion d'énergie des rayons X (EDS) et de spectroscopie photoélectronique des rayons X (XPS) ont été utilisées pour des comparaisons qualitatives et quantitatives des composants chimiques de surface, et aucun changement d'état de surface évident n'est observé selon les résultats mesurés. Un guide d'ondes optique fabriqué avec la gravure ICP à l'argon optimisée a été mesuré avec une perte de -3,7 dB/cm près de 1550 nm de longueur d'onde pour le LN coupé Z, ce qui valide ce type de méthode pour la gravure d'oxydes pérovskites dans les applications photoniques.

Introduction

La photonique sur silicium a connu un grand développement ces dernières décennies en raison de son faible coût et de son intégration à grande échelle [1]. Cependant, l'absence d'effet Pockels restreint certaines de ses applications en raison de sa structure cristalline centrosymétrique [2]. Les oxydes pérovskites tels que LiNbO₃ (LN) et BaTiO₃ (BTO) ont ainsi reçu une grande attention pour les applications photoniques en raison de leurs grands effets Pockels [3,4,5,6,7,8,9,10]. Divers dispositifs photoniques basés sur LN et BTO ont été démontrés avec une performance supérieure [3,4,5,6,7,8,9,10]. Pour une telle application, un guide d'ondes ayant un contraste d'indice de réfraction élevé est le composant de base pour le confinement de la lumière [11]. Traditionnellement, les guides d'ondes ont été formés dans le LN par diffusion ionique [12], ce qui n'a permis qu'un faible contraste d'indice de réfraction et un confinement optique médiocre résultant. La percée des dispositifs intégrés basés sur LN repose sur la gravure sèche directe de films minces de LN [3, 6,7,8,9,10]. Cependant, il n'y a pas d'analyse complète des méthodes de gravure sèche du LN rapportée jusqu'à présent. D'autre part, le BTO a un coefficient de Pockels encore plus élevé de 1640 pm/V que le LN (~ 30 pm/V) [2], ce qui peut supporter des dispositifs photoniques bien meilleurs. Cependant, les dispositifs photoniques basés sur BTO directement gravés n'ont pas encore été démontrés, ce qui est probablement dû à la difficulté de le graver. La méthode la plus courante de création de guides d'ondes à indice plus élevé dans ces matériaux dans la littérature est de déposer d'abord une couche de matériau facile à graver, puis de transférer le motif sur cette couche par gravure sèche. Le mode optique résultant ne chevauche que partiellement la couche BTO inférieure non gravée, dégradant ainsi sa performance ; une telle méthode ne peut pas maximiser son effet Pockels [4, 5]. Bien que la gravure plasma à base de fluor et de chlore du BTO ait été proposée pour des applications de mémoire semi-conductrice [13,14,15], les produits de réaction qui peuvent être redéposés sur les surfaces et les parois latérales pendant le processus de gravure réduisent la convenance de telles chimies de gravure pour les applications photoniques.

Par conséquent, la gravure ICP à base de plasma d'argon des oxydes pérovskites LN et BTO est analysée de manière exhaustive dans ce manuscrit. Différents facteurs et leur effet sur les taux de gravure sont comparés pour le LN et le BTO. La rugosité de surface avant et après gravure est analysée par microscopie à force atomique (AFM). Les méthodes de spectroscopie à dispersion d'énergie des rayons X (EDS) et de spectroscopie photoélectronique des rayons X (XPS) sont utilisées pour caractériser les changements d'état chimique de surface. Il est observé que la surface est beaucoup plus lisse sans résidu de gravure détecté dans les échantillons de LN et BTO gravés. Basé sur les conditions de gravure optimisées, des guides d'ondes optiques sont gravés sur un échantillon de LN coupé Z, avec une perte mesurée de -3,7 dB/cm, ce qui valide la méthode ICP à base d'argon dans sa convenance pour la gravure générale d'oxydes pérovskites dans la fabrication de dispositifs photoniques.

Expérience et résultats

Méthodes

Un Oxford PlasmaPro 100c Cobra 13,56 MHz est utilisé pour l'expérience de gravure ICP à base d'argon, et une structure schématique de la gravure est montrée en Fig. 1a. Le gaz d'entrée est ionisé sous des champs électromagnétiques variables dans le temps, qui sont produits par une bobine couplée inductivement sous la première source de radiofréquence (RF_ICP). Les ions de plasma générés accélèrent verticalement vers la wafer du bas sous tension de polarisation, qui est contrôlée par la deuxième source RF (RF_bias) connectée au porte-substrat/électrode. Les produits de gaz de gravure volatils sont évacués par un évent. Le LN coupé Z est utilisé comme exemple pour la démonstration de la relation entre différentes conditions de processus et taux de gravure ; la structure épitaxiale du LN est montrée en Fig. 1b. L'épaisseur de la couche supérieure de niobate de lithium et d'oxyde de silicium sont de 700 nm et 2 µm respectivement. Une couche de chrome (Cr) de 50 nm est d'abord déposée par évaporation par faisceau d'électrons (e-beam) sur l'échantillon pour faciliter la lithographie. Ensuite, environ 1 µm de photorésist ma-N 1400 est déposé par centrifugation sur la surface par photolithographie en utilisant un écrivain laser. Après développement et gravure humide du Cr subséquente, la structure patrónnée sert de masque d'ombre pour la gravure sèche. Après gravure ICP, ce masque est décapé dans du N-méthyl-2-pyrrolidone chaud et du graveur de Cr. Les profondeurs de caractéristiques avant gravure, après gravure et après enlèvement du masque d'ombre sont enregistrées par un profileur de surface à des points fixes, et les taux de gravure du photorésist et du LN coupé Z sont calculés en conséquence.

a Structure schématique du processus ICP. Les structures d'épitaxie et images MEB de b LN coupé Z et c BTO utilisées dans l'expérience (Pt et Cr sont déposés comme couches protectrices pour la coupe FIB).

Analyse des taux de gravure

Quatre facteurs sont validés pendant l'expérience : la pression de la chambre, le débit de gaz, la puissance de polarisation et la puissance ICP. Avant chaque gravure, un traitement plasma d'oxygène pur de 5 min est effectué pour le nettoyage de la chambre. Seul le gaz argon est utilisé pendant la gravure, et la condition de gravure de base est : 5 mTorr pression de chambre, 20 sccm débit de gaz, 150 W puissance de polarisation et 500 W puissance ICP. Les taux de gravure mesurés du LN coupé Z et du photorésist par rapport à différentes conditions combinées sont montrés en Fig. 2. On peut observer sur la Fig. 2a que le taux de gravure du LN coupé Z augmente lorsque la pression de la chambre est réduite, et l'augmentation du taux de gravure du LN coupé Z est relativement linéaire (la pente est d'environ 0,95 nm/min par mTorr de diminution de pression) et prévisible. Il convient de noter que la mesure de profondeur de profil de surface du LN coupé Z est plus précise qu'avec le photorésist, car le photorésist de surface après gravure n'est pas aussi plat que le LN coupé Z. Lorsque la pression de la chambre est plus basse, le mouvement de collision aléatoire est réduit et les ions argon sont transportés de manière plus ordonnée, ce qui peut expliquer pourquoi des taux de gravure plus élevés sont observés sous une pression de chambre plus basse. Le taux de gravure augmente linéairement pour le LN coupé Z par rapport aux conditions de débit de gaz, comme montré en Fig. 2b, ce qui signifie que plus de plasma argon est activé lorsque le débit de gaz est plus grand. La pente du taux de gravure du LN coupé Z est d'environ 0,11 nm/min par unité sccm d'augmentation de débit de gaz, comme on peut conclure de la Fig. 2b. Les taux de gravure du LN coupé Z et du photorésist augmentent tous deux lorsque la puissance de polarisation et la puissance ICP augmentent, comme on peut le voir sur la Fig. 2c, d. Lorsque la puissance ICP est aussi basse que 100 W, peu d'atomes d'argon sont ionisés et le taux de gravure du LN coupé Z est assez faible, comme montré en Fig. 2d. Plus d'atomes d'argon seront ionisés lorsque la puissance ICP est augmentée, et ainsi des taux de gravure plus élevés en résultent. Avec une augmentation de la polarisation, la vitesse d'accélération des ions sera également plus grande car le champ électrique est plus fort. À la fois une augmentation de la densité de plasma ainsi que l'accélération des ions entraîneront des taux de gravure plus élevés, ce qui peut être trouvé en Fig. 2c, d. Les pentes sont d'environ 0,072 et 0,059 nm/min par watt de puissances de polarisation et ICP respectivement. La courbe non-linéaire du taux de gravure du photorésist par rapport à la puissance de polarisation est probablement due à l'erreur de mesure résultant d'une surface qui n'est pas plate.

Taux de gravure du LN coupé Z et du photorésist sous différentes a pression, b débit de gaz, c puissance de polarisation et d puissance ICP.

En Fig. 2a, le taux de gravure de 21,87 nm/min est obtenu sous les conditions de 5 mTorr pression de chambre, 20 sccm débit de gaz, 150 W puissance de polarisation et 500 W puissance ICP. Un taux de gravure d'environ 37 nm/min est mesuré avec des conditions de 10 mTorr pression de chambre, 30 sccm débit de gaz, 300 W puissance de polarisation et 700 W puissance ICP, ce qui est hautement cohérent avec les résultats calculés (40,4 nm/s) basés sur les données mesurées montrées en Fig. 2. Par conséquent, on peut conclure que le taux de gravure du LN coupé Z est régulier et prévisible.

Basé sur les mêmes conditions de base (5 mTorr pression de chambre, 20 sccm débit de gaz, 150 W puissance de polarisation et 500 W puissance ICP), une expérience de gravure similaire impliquant le LN coupé X et le BTO est réalisée pour examiner l'effet de la pression de la chambre (comme exemple de différentes conditions), et les données mesurées sont montrées en Fig. 3. Le LN coupé X utilisé ici est un cristal massif, tandis que le BTO est une couche épitaxiale cultivée sur un substrat de scandate de dysprosium (DSO) en utilisant le dépôt laser pulsé (PLD), avec structure montrée en Fig. 1c. Lorsque la pression de la chambre est réduite, les taux de gravure du BTO et du LN coupé X augmentent tous deux, ce qui s'accorde bien avec les résultats du LN coupé Z. La pente légèrement différente observée peut être attribuée aux petites différences de qualité cristalline. On peut ainsi conclure que les paramètres de gravure de la Fig. 2 sont également largement appropriés pour le LN coupé X de type oxyde pérovskite et le BTO.

Résultat de comparaison des taux de gravure par rapport à la pression de la chambre pour BTO, LN coupé Z et LN coupé X.

Analyse de la morphologie de surface

Afin d'évaluer tout changement potentiel de morphologie de surface causé par la gravure, l'AFM est utilisé ici avec la zone de balayage fixée à \(1\times 1 {\mathrm{\mu m}}^{2}\). Les images AFM de l'état tel que déposé et après gravure pour le LN coupé Z, LN coupé X et BTO sont montrées en Fig. 4. On peut constater sur la Fig. 4a, b que le LN coupé Z gravé a une rugosité quadratique moyenne (RMS) de surface près d'un ordre de grandeur inférieure comparé à l'échantillon tel que déposé. Pour le LN coupé X et le BTO, une surface plus lisse après gravure peut être trouvée de la Fig. 4c–f. La rugosité RMS légèrement plus grande pour le BTO tel que déposé est due à la qualité de croissance originale, car l'échantillon LN est un produit commercial et le film BTO est cultivé dans notre laboratoire sur un substrat (DSO) qui lui-même peut ne pas avoir une rugosité de surface minimisée. La rugosité RMS plus faible de l'échantillon gravé peut être attribuée à la propriété de gravure physique du plasma argon basé ICP, ce qui rend le processus de gravure un peu comme un meulage/polissage.

Vue 3D des morphologies de surface du LN coupé Z, LN coupé X et BTO mesurées par AFM. a Tel que déposé et b gravé LN coupé Z. c Tel que déposé et d gravé LN coupé X. e Tel que déposé et f gravé BTO.

Analyse de l'état de surface

L'analyse EDS est réalisée pour les échantillons tel que déposé et gravés de LN coupé Z, LN coupé X et BTO, pour analyser qualitativement tout changement possible de composants de surface, et les résultats mesurés sont montrés en Fig. 5. Pendant la mesure, Lithium (Li), Niobate (Nb), Oxygène (O), Carbone (C), Argon (Ar) et Chrome (Cr) sont enregistrés pour le LN coupé Z et LN coupé X, comme montré en Fig. 5a–d, tandis que pour l'échantillon BTO, Barium (Ba), Titane (Ti), O, C, Ar et Cr sont analysés, comme montré en Fig. 5e, f. Comparé aux échantillons tel que déposé, aucune différence significative dans les constituants élémentaires n'est observée de la Fig. 5. Il n'y a pas d'argon résiduel dans la zone gravée dans aucun des échantillons gravés, ce qui montre que la gravure ICP à base de plasma argon est un processus purement physique ne causant aucun changement chimique secondaire inattendu, et aucun réactif de gravure n'est produit.

Résultats EDS mesurés. a Tel que déposé et b gravé échantillons LN coupé Z ; c tel que déposé et d gravé échantillons LN coupé X ; e tel que déposé et f gravé échantillons BTO.

Afin d'analyser davantage tout changement de composition chimique de surface, une analyse XPS a été effectuée. Les mesures ont été réalisées dans un système Thermo Fisher Scientific Theta Probe équipé d'une source de rayons X Al K α monochromatique, micro-focalisée (1486,6 eV) et les spectres XPS ont été enregistrés à un angle de détection (q) de 50, par rapport à la surface de l'échantillon. La pression de base de la chambre d'analyse est \(5\times {10}^{-10}\) mbar. La Figure 6 montre les spectres d'exploration XPS du LN coupé Z, LN coupé X et BTO échantillons variant de 0 à 1000 eV énergie de liaison (BE). Il y a Li 1s, Nb 3p_1/2, Nb 3p_3/2, Nb 3d_5/2, Nb 4p_3/2, O 1s et C 1s pour le LN coupé Z et LN coupé X, comme montré en Fig. 6a, b. En Fig. 6c, il y a Ba 4d, Ba 4p_3/2, C 1s, Ti 2p, O 1s, Ba 3d_5/2 et Ba 3d_3/2 pour le BTO. Les spectres XPS rapportés ici sont référencés au BE du composant de pic C–C/C-H du spectre C 1s à 285,0 eV [13, 16]. On peut observer de la Fig. 6 qu'il n'y a pas de grande différence dans les spectres d'exploration pour les échantillons tel que déposé et gravés. Certains petits pics après gravure sont causés par la contamination mineure pendant le traitement et le stockage des échantillons.

Spectres d'exploration XPS de a LN coupé Z, b LN coupé X et c BTO avant et après gravure. Lignes du bas (rouge) et du haut (noir) représentent les échantillons tel que déposé et gravés.

Pour identifier plus en détail l'état chimique de chaque élément présent en surface, les spectres haute résolution de tous les éléments présents en surface ont été acquis et ajustés après soustraction de fond d'électrons secondaires de type Shirley [13]. Les résultats d'ajustement sont montrés en Fig. 7. La Figure 7a à d sont Li 1s, Nb 3d_5/2, O 1s et Ar pour le LN coupé Z. Il n'y a pas de changements évidents pour le pic de Li 1s, comme montré en Fig. 7a. Comparé à l'échantillon tel que déposé, les pics de Nb 3d_5/2 et O 1s changent respectivement de 0,1 et 0,2 eV vers des BE plus élevés dans le cas gravé, comme montré en Fig. 7b, c. De tels petits changements sont proches de l'erreur de mesure et indiquent qu'il n'y a pas de changement d'état chimique évident pour Nb et O. Il est noté qu'il y a deux pics composants pour l'ajustement du spectre O 1s, et le pic principal autour de 530,2 eV provient des liaisons Nb–O. L'autre sous-pic autour de 532,5 eV peut être attribué à la contamination, car il est éliminé par le choc physique dans la chambre de vide et résulte donc en une force de signal plus faible [13]. Aucun pic d'argon évident n'est observé dans les échantillons tel que déposé et gravés, ce qui valide que la gravure ICP à base d'argon n'a entraîné aucun résidu de gravure.

Spectres haute résolution pour les échantillons tel que déposé et gravés de LN coupé Z, LN coupé X et BTO. a à d représentent le Li, Nb, O, Ar pour le LN coupé Z. e–h représentent le Li, Nb, O, Ar pour le LN coupé X. i à l représentent le Ba, Ti, O, Ar pour le BTO. Lignes du bas (rouge) et du haut (noir) représentent les résultats tel que déposé et gravés dans chaque image individuelle.

Les Figures 7e–h montrent Li 1s, Nb 3d_5/2, O 1s et Ar pour le LN coupé X. La conclusion est similaire à celle du LN coupé Z. Tous les pics de Li 1s, Nb 3d_5/2 et O 1s se décalent de 0,2 eV vers des BE plus élevés pour les échantillons gravés comparés aux tel que déposé. Pour le spectre Ar 2p, il y a un petit pic dans l'échantillon gravé autour de 239,0 eV, qui peut être attribué à l'argon résiduel. Bien que l'Ar ne réagisse pas chimiquement avec le matériau gravé, l'ion à haute énergie sera implanté dans la surface gravée pendant le processus de gravure. Et une telle implantation est attendue comme étant faible dans notre expérience car le signal est si faible, et elle ne causera aucune dégradation significative de la performance des dispositifs photoniques.

La Figure 7i–l montre les spectres Ba 3d, Ti 2p, O 1s et Ar 2p obtenus pour le BTO. En Fig. 7i, Ba 3d_5/2 de l'échantillon tel que déposé (ligne rouge du bas) peut être ajusté à deux pics aux BE de 778,7 et 780,0 eV avec un ratio de 47% : 53%. Après gravure, Ba 3d_5/2 est ajusté à deux pics aux BE de 778,8 et 780,1 eV avec un ratio de 80% : 20%. Aucun décalage de BE n'a été observé après considération de l'erreur expérimentale (± 0,2 eV). Cependant, l'oxyde de surface a été éliminé en raison du processus de gravure du changement de ratio de pics. Pour Ti 2p, les BE de Ti 2p_3/2 avant et après le processus de gravure sont 458,1 et 458,2 eV respectivement, ce qui est également dans l'erreur expérimentale. Pour les spectres O 1s, avant gravure il peut être ajusté en utilisant deux pics avec des BE de 529,4 et 531,4 eV, attribués au BTO et à la contamination de surface, avec un ratio de 45% : 55%. Après gravure, les BE des pics sont 529,6 et 531,5 eV avec un ratio de 60% : 40%, ce qui montre que la contamination de surface a été éliminée. Aucun pic XPS évident d'Ar n'est observé après gravure dans le BTO, ce qui s'accorde bien avec les cas du LN coupé Z et LN coupé X.

Caractérisation de la performance optique et discussion

Basé sur la méthode ICP à base d'argon optimisée, des guides d'ondes de LN coupé Z sont réalisés comme exemple d'application. Le guide d'ondes est partiellement gravé avec une profondeur de gravure de 420 nm sur 700 nm d'épaisseur totale, et sa largeur est conçue à 4 µm pour une lithographie facile. Les dimensions géométriques du guide d'ondes sont déterminées basées sur la méthode des différences finies dans le domaine temporel 3D (FDTD) [17] après considération à la fois de la perte de transmission et de la technologie de processus. La couche supérieure de LN et le substrat sont isolés par 2 µm d'oxyde de silicium pour former une différence d'indice de réfraction élevée (les indices de réfraction du LN et SiO₂ sont respectivement 2,3 et 1,44) pour le confinement optique, comme l'épitaxie montrée en Fig. 1b. Une perte de propagation d'environ -3,7 dB/cm est mesurée avec déduction de la perte de couplage (méthode cutback) près de la longueur d'onde de conception de 1550 nm pour la lumière d'entrée polarisée magnétique transversale (TM), comme montré en Fig. 8a. L'encart montre la lumière bien confinée à l'intérieur du guide d'ondes. Il convient de noter qu'il existe d'autres méthodes pour caractériser la perte du guide d'ondes, telles que les méthodes du prisme glissant, des résonances Fabry-Pérot et de la lumière diffusée [18]. La méthode cutback est utilisée ici. La Figure 8b montre une image de microscopie électronique à balayage (MEB) du guide d'ondes gravé. Des parois latérales nettes valident le résultat de gravure haute performance. L'angle de paroi latérale est d'environ 50 degrés, comme montré par l'image FIB (faisceau d'ions focalisés) en Fig. 8c. La perte mesurée est raisonnable pour la polarisation TM (où le champ est correctement aligné pour maximiser l'effet Pockels pour l'orientation Z-cut) ; et supérieure aux valeurs de perte typiques pour la lumière polarisée électrique transversale (TE) dans le niobate de lithium X-cut [3, 6] en raison de l'anisotropie habituelle de la rugosité des parois latérales. Une telle perte peut être améliorée en utilisant une épaisseur de LN supérieure plus mince [19] et une structure plus optimisée [3, 6, 20]. Il convient de noter qu'il n'y a pas de post-traitement ou de gaine ajoutée du guide d'ondes mesuré. La perte peut ainsi être réduite en optimisant un tel traitement, comme c'est le cas avec l'ajout d'oxydation thermique dans les guides d'ondes en silicium [20, 21], ou avec l'utilisation de lissage par faisceau d'ions de gaz cluster [22]. Dans le cas du BTO, le contraste d'indice réduit entre le substrat DSO et la couche supérieure BTO (l'indice de réfraction du BTO et DSO sont respectivement 2,38 et 2,13, comme déterminé par la méthode de couplage par prisme) résulterait en un confinement de lumière plus pauvre même si la gravure est plus profonde ; la perte ne peut pas être comparée directement à celle du LN.

a Perte mesurée du guide d'ondes LN coupé Z gravé. (L'image insérée montre la lumière transmise à l'intérieur du guide d'ondes courbé pendant la mesure.) b Image MEB du guide d'ondes gravé. c Image FIB de la section transversale du guide d'ondes.

Comparé à la méthode typique de diffusion ionique [12] pour les oxydes pérovskites dans les applications photoniques, la gravure ICP à base d'argon démontrée dans ce manuscrit peut réaliser des dispositifs intégrés compacts et à haute performance. Comme il n'y a pas de produits de réaction de gravure dans cette méthode, la performance optique du cristal d'oxyde pérovskite n'est pas affectée du tout. Par conséquent, elle est probablement supérieure comparée à la gravure ICP à base de fluor ou de chlore [13,14,15], qui ont été démontrées pour d'autres types d'applications, tels que les transistors à effet de champ. Les machines ICP sont largement utilisées dans l'industrie, ainsi le rendement de la méthode proposée sera élevé si chaque étape de processus est contrôlée dans une petite marge d'erreur.

Conclusions

En conclusion, la gravure ICP à base d'argon pour les oxydes pérovskites est démontrée en détail dans ce manuscrit. Les taux de gravure et leurs relations avec la pression de la chambre, le débit de gaz, la polarisation et la puissance ICP sont analysés dans le LN coupé Z, LN coupé X et BTO. Les résultats mesurés sont réguliers et prévisibles, ce qui sera utile pour l'étalonnage de toute gravure d'oxydes pérovskites, surtout pour les applications photoniques. Les résultats AFM mesurés montrent que la rugosité de surface est meilleure après gravure ICP à base d'argon qu'avant. Les résultats EDS et XPS montrent tous deux qu'une telle méthode de gravure est un processus purement physique et aucun résidu de gravure n'est trouvé sur la surface gravée. Certains décalages de pics raisonnables et petits après gravure sont observés, mais aucune dégradation significative de la performance des dispositifs photoniques n'est obtenue pendant l'expérience. Une perte TM mesurée de -3,7 dB/cm près de 1550 nm pour un guide d'ondes LN coupé Z valide également la convenance de l'ICP à base d'argon pour la gravure d'oxydes pérovskites dans la fabrication de dispositifs photoniques.

Disponibilité des données et du matériel

Toutes les données sont pleinement disponibles sans restrictions.

Abréviations

ICP :

Plasmas couplés inductivement

LN :

Niobate de lithium

BTO :

Oxyde de baryum titane

AFM :

Microscopie à force atomique

EDS :

Spectroscopie à dispersion d'énergie des rayons X

XPS :

Spectroscopie photoélectronique des rayons X

Cr :

Chrome

e-beam :

Faisceau d'électrons

DSO :

Scandate de dysprosium

PLD :

Dépôt laser pulsé

RMS :

Racine carrée moyenne

BE :

Énergie de liaison

Pt :

Platine

Li :

Lithium

Nb :

Niobate

O :

Oxygène

C :

Carbone

Ar :

Argon

Ba :

Baryum

Ti :

Titane

MEB :

Microscopie électronique à balayage

FIB :

Faisceau d'ions focalisés

TM :

Magnétique transversale

TE :

Électrique transversale