Sensibilité en faible lumière améliorée : Photodétecteurs à réseau de nanofils InAsSb à contacts de bout

Résumé

Une fabrication simple de détecteur à réseau de nanofils (NW) InAsSb à contacts de bout est démontrée pour la détection de lumière faible. Le détecteur est fabriqué en utilisant un réseau de NW InAsSb cultivé par épitaxie par faisceaux moléculaires (MBE) sur substrat GaAs. Les états de gap induits par le métal (MIGS) sont induits par le contact de bout, supprimant le courant d'obscurité à diverses températures. L'existence du dipôle d'interface dû aux états de gap interfaciaux améliore l'excitation lumineuse autour du champ local et améliore ainsi la photoresponsivité et la photodétectivité pour la lumière faible. L'intensité lumineuse de la source infrarouge dans ce rapport est de 14 nW/cm², soit environ 3 à 4 ordres de grandeur inférieure à la source laser. La responsivité du détecteur a atteint 28,57 A/W à température ambiante sous radiation (945 nm), tandis que la détectivité est de 4,81 × 10¹¹ cm·Hz¹/²·W⁻¹. Une performance anormale dépendante de la température émerge aux expériences à température variable, et nous discutons le mécanisme détaillé derrière la relation non-linéaire entre la photoréponse du dispositif et les températures. De plus, les caractéristiques optoélectroniques du détecteur clarifient que l'effet de piégeage de lumière et l'effet de photogating des NW peuvent améliorer la photoréponse à la lumière faible de l'ultraviolet au proche infrarouge. Ces résultats soulignent la faisabilité du détecteur à réseau de NW InAsSb pour la lumière faible infrarouge sans système de refroidissement.

Introduction

En tant que branche importante des semiconducteurs III-V à gap étroit, l'InAsSb possède les avantages hérités de l'InAs tels que la masse effective électronique faible et la haute mobilité électronique. Quand l'élément Sb est introduit dans l'InAs, la longueur d'onde de coupure de réponse de l'InAsSb ternaire peut s'étendre au domaine infrarouge longue longueur d'onde grâce à l'effet de courbure de bande. Par conséquent, l'InAsSb est considéré comme candidat idéal dans la détection infrarouge. Dans l'optoélectronique, les nanostructures unidimensionnelles (1D) ont d'énormes propriétés uniques : grande surface avec nombreux états de piégeage, long chemin pour l'absorption de photons, structure mécaniquement flexible due à leurs rapports d'aspect énormes. De plus, pendant leur développement, les nanostructures 1D peuvent facilement relâcher l'inadéquation de réseau aux substrats et atteindre une haute qualité cristalline. Les applications optoélectroniques comme photodétecteurs, cellules solaires basées sur nanostructures 1D attirent un intérêt de recherche considérable. Parmi elles, les structures de dispositifs adaptées ont été proposées pour atteindre une absorption de lumière optimisée et une récolte de lumière à large bande, rendant les nanostructures 1D adaptées à divers scénarios d'application et composants compatibles aux circuits intégrés silicium. Récemment, les photodétecteurs basés sur NW individuels InAs ont démontré leur potentiel en détection infrarouge. Avec l'ajout de Sb, l'InAsSb ternaire peut être accessible sur une gamme spectrale large pour détection à température ambiante. Avec la passivation Al₂O₃, les détecteurs basés sur NW InAsSb ont atteint une détection non refroidie du spectre infrarouge moyen. Cependant, les sources lumineuses conventionnelles largement utilisées sont des lasers haute intensité et la plupart de ces dispositifs ne fonctionnent pas à température ambiante. De plus, la structure conventionnelle basée sur NW n'est pas adaptée à l'application en série dans circuits intégrés compatibles. Il existe trois types principaux de détecteurs traditionnels basés sur NW InAsSb : dispositif NW individuel, puits quantiques intégrés dans NW InAs, dispositif NW individuel vertical. Tous nécessitent des processus de nanofabrication coûteux comme lithographie par faisceau d'électrons (EBL) et gravure ionique réactive (RIE). L'innovation dans la structure de dispositif est urgente pour l'application des NW.

L'interface joue toujours un rôle vital dans la performance optique et électrique du dispositif malgré sa taille limitée, faisant de l'ingénierie des contacts dans les dispositifs NW un autre facteur essentiel. Par exemple, une cellule solaire avec excellentes propriétés de photodétection omnidirectionnelle à lumière faible a été réalisée dans une structure hybride utilisant l'interface entre points quantiques graphène et polystyrène sulfonate. Dans cette étude, nous modulons la performance optoélectrique du dispositif en utilisant la structure de bande à l'interface entre électrode et semiconducteur. La redistribution de charge se produit à l'interface métal-semiconducteur, et le transfert de charge a lieu entre le métal et les queues des fonctions d'onde du métal dans le semiconducteur. Cette redistribution est appelée MIGS, qui peut induire des états de gap et un dipôle d'interface aux états interfaciaux. Cependant, les résultats de simulation du modèle MIGS ont encore des écarts avec les expériences, dus aux défauts d'interface, défauts de fabrication, et pincement du niveau de Fermi. Surtout pour les NW InAsSb avec états de surface riches, le pincement du niveau de Fermi est inévitable, de sorte que les états de gap induits filtreraient le transfert de charge. Ainsi, le courant d'obscurité du dispositif pourrait être supprimé dans une plage acceptable. De plus, le dipôle d'interface pourrait améliorer l'excitation lumineuse dans le champ local, essentiel pour la détection de lumière faible. Selon Chu et al., les jonctions de bout sont plus susceptibles d'atteindre le chevauchement d'états entre métal et semiconducteur que les jonctions planaires. Pourtant, le dispositif de bout via NW individuel fait face à des obstacles de fabrication. Ici, nous proposons une solution en utilisant des réseaux de NW pour atteindre le contact de bout entre NW et métal. Comparés aux photodétecteurs conventionnels, les dispositifs NW réseau à structure sandwich ont les avantages d'une fabrication facile et d'une haute adaptabilité environnementale. Le remplissage (AZ5214), qui est déposé par essorage et cuit autour des NW pendant la fabrication, rend le dispositif plus stable et anti-oxydant. Quand la lumière est introduite dans le réseau NW, elle se réfléchit et se réfracte dans différentes directions multiples fois, augmentant l'absorption à l'intérieur. Le chemin de lumière prolongé dans le réseau NW est appelé effet de piégeage de lumière, largement utilisé dans les dispositifs réseau NW. La structure de bande et la structure de dispositif donnent au dispositif un potentiel pour la détection de lumière faible à température ambiante.

Dans cette étude, nous avons fabriqué le dispositif réseau NW basé sur NW InAsSb cultivés par MBE. Les états de gap et le dipôle d'interface induits par le contact métal-semiconducteur pourraient supprimer le courant d'obscurité et améliorer la détection lumineuse séparément. L'effet de piégeage de lumière de la structure sandwich du réseau NW contribue à la détection de lumière faible. Le courant d'obscurité supprimé à température ambiante minimise grandement le bruit de détection et permet la détection à température ambiante. La structure de dispositif durcie rend le dispositif capable de fonctionner en environnement ambiant. De plus, la photoréponse du dispositif fluctue avec la température car les états d'interface complexes sont anticipés. À température constante, la valeur du photocourant augmente linéairement avec l'intensité lumineuse incidente, démontrant le potentiel pour wattmètre optique.

Méthodes/Expérimental

Les NW InAsSb ont été cultivés sur substrats GaAs {111}B par système MBE (Riber 32 R&D) avec système d'évaporation Au in situ. Le substrat épi-prêt était prétraité pour éliminer la contamination. Ensuite, une couche tampon GaAs était déposée à 540 °C pendant 15 min et les nanoparticules Au formées par évaporation et recuit. Les tiges InAs étaient cultivées 20 min à température constante 380 °C, puis la source Sb introduite dans la chambre de croissance pendant 60 min. Pendant la croissance NW, la pression équivalente de faisceau (BEP) In était maintenue à 2,7 × 10⁻⁷ mbar, As BEP 2,2 × 10⁻⁶ mbar, Sb BEP 7 × 10⁻⁷ mbar, donnant un ratio V/III ~ 11 et ratio Sb/As ~ 0,3.

Pour la fabrication du dispositif, AZ5214 (photorésist) était utilisé comme agent de support pour maintenir les orientations des NW. Le réseau NW avec substrat était essoré avec AZ5214 à 3000 tr/min pendant 30 s et cuit 2 min à 120 °C. Le gel AZ5214 est transparent, minimisant la perte de lumière pendant la mesure. Pour exposer les pointes des NW, la surface du réseau était polie par une jauge de cisaillement de précision (Logitech). Les couches InAsSb formées sur la surface du substrat pendant la croissance NW via mécanisme VS (vapeur-solide) peuvent agir comme électrode drain. Selon la mesure Hall des épicouches InAsSb (Additional file 1: Figure S1), la concentration de porteurs à température ambiante est ~2 × 10¹⁷ cm⁻³, mobilité ~1,6 × 10⁴ cm²/(V·s). Ensuite, un film Au d'épaisseur nominale 8 nm était déposé sur zones sélectionnées, l'une sur le dessus du réseau, l'autre sur l'épicouche. La faible épaisseur d'Au assure la photoperméabilité de l'électrode et perte de lumière acceptable.

Les caractéristiques morphologiques, chimiques et structurales des NW InAsSb obtenus ont été investiguées par MEB (FE-SEM, JEOL 7800F) et MET [MET, Philips Tecnai F20, équipé spectroscopie dispersive énergie (EDS) pour analyse compositionnelle]. Les NW individuels pour analyse MET étaient préparés par ultra-sonication des échantillons NW dans éthanol et dispersion sur grilles Cu supportées par films de carbone.

Les mesures de photoconductivité étaient effectuées dans un cryostat à cycle fermé hélium équipé de DEL comme sources lumineuses. La température peut être modulée entre 2 K et température ambiante continûment, l'intensité des DEL ajustée facilement par le courant d'entrée. DEL avec diverses longueurs d'onde (260 nm, 620 nm, 945 nm) étaient employées. L'intensité lumineuse des DEL dépend de la température et du courant d'entrée : augmente linéairement avec le courant, diminue avec la température. Les valeurs d'intensité à température ambiante : 4000 nW/cm² (260 nm), 558 nW/cm² (620 nm), 14 nW/cm² (945 nm). Infos intensité lumineuse dans Ref. [30]. Une tension constante V_DS = 100 mV était appliquée entre source et drain. La réponse photoconductive était obtenue par commutation ON/OFF des DEL.

Résultats et discussion

La figure 1 montre les investigations par microscopie électronique des NW InAsSb. Fig. 1a : image MEB en vue inclinée, diamètres 100–200 nm, longueurs 6–8 µm. Fig. 1b : image MET champ clair (BF) d'un NW individuel typique, structure conique classique. Le long de l'axe, la composition montre un changement graduel modéré, concentration moyenne Sb jusqu'à 30 % d'après analyse EDS quantitative (détails Additional file 1: Figure S2). Fig. 1c : image HRMET de la partie centrale du NW, confirmant l'existence de plans de macle. Le motif de diffraction électronique de zone sélectionnée (SAED) Fig. 1d vérifie la structure de macle, deux ensembles de diffractions ZB (zinc blende) distinguables. L'élément Sb peut agir comme surfactant et déprime la phase WZ (wurtzite) des NW InAs, favorisant le changement de phase WZ vers ZB. Dans notre cas, ratio V/III ~ 11, environnement riche en V, favorisant la nucléation ZB, mais laissant quelques plans de macle. L'investigation sur la structure de macle dans NW InAsSb affirme que le déplacement à la frontière causerait une distribution locale inhomogène de Sb, favorisant la diffusion électronique ou le piégeage de porteurs.

La structure du dispositif est illustrée Fig. 2a, où le film Au recouvre le haut et le bas du réseau. L'image MEB du dispositif (Additional file 1: Figure S3) montre longueur résiduelle ~3 µm et presque tous NW intégrés. Le photorésist maintient les NW orientés et les intègre en dispositif durci ; ainsi le dispositif est plus anti-oxydation et adapté à l'application. La structure conique est utilisée dans dispositifs réseau NW silicium amorphe, démontrant absorption améliorée et insensibilité à l'angle d'incidence. Fig. 2b : carte esquisse de l'interface Au-InAsSb déterminée par modèle MIGS. Fig. 2c, d confirment une conductance quasi constante indépendante de la température, valeur ~1 × 10⁻⁷ Ω⁻¹. Courbes I-V à 2 K et 300 K sans lumière incidentes Fig. 2d. Le NW individuel a une conductance bien plus grande (Additional file 1: Figure S4). Le dispositif réseau est équivalent à un circuit parallèle joint par milliers de NW individuels, donc la conductance théorique devrait être bien plus considérable. De plus, deux connaissances de base sur la conductance : (1) conductance NW individuel montre forte dépendance température ; (2) dispositifs réseau d'InAs NW dans notre étude ont aussi conductance constante. Nous concluons que le contact métal-semiconducteur dans ce dispositif a une résistance parasite considérable dominant les caractéristiques de sortie globales.

Quand l'Au est joint aux NW InAsSb via contact de bout, le transfert de charge a lieu à l'interface via les queues des fonctions d'onde électroniques du métal, appelé continuum de MIGS. La redistribution de charge à l'interface lors de la formation du contact cause le développement de dipôles d'interface. Selon le modèle MIGS, la hauteur de barrière d'interface est déterminée par Φ_Au (fonction travail du métal), Φ_NW (affinité électronique du NW InAsSb) et Δ_i (chute de tension due au dipôle d'interface lors de la formation). δ_i est la distance des états de gap induits par le métal. L'état électronique est affiché Fig. 2b. Le dipôle d'interface pourrait créer une barrière supplémentaire pour les électrons, mais l'effet est contraint dans région δ_i. Au-dessus de tout, les propriétés intrinsèques du dispositif sont modulées par la grande résistance de contact parasite. Dans notre dispositif, la grande résistance de contact diminue efficacement le courant d'obscurité, valeur indépendante de la température. Ainsi, la concentration de porteurs peut être restreinte dans une plage favorable pour la détection lumineuse. Pourtant le mécanisme de résistance de contact due au dipôle d'interface restant constant avec températures variables nécessite recherche plus détaillée.

Fig. 3a affiche les courants du dispositif de 2 à 120 K avec et sans illumination, le reste en Additional file 1: Figure S5. Les états DEL sont modulés dans le temps, états "ON" et "OFF" maintenus 60 s chacun. Les valeurs de courant spécifiques des DEL aux états "ON" sont 10, 20, 50, 100, 200, 500, 1000, 2000, 3000 µA. Mesure à températures 2–300 K. L'encart Fig. 3a montre conditions avec trois lumières les plus faibles (~4–10 nW/cm²), tendance similaire à Fig. 3a. Cependant, comportements optiques évidemment différents avec la lumière la plus faible, surtout vitesse de réponse plus lente et photoconductance légèrement persistante. Fig. 3b montre le temps de réponse à 20 K, courant DEL 2000 µA. Notamment, Fig. 3c obtenue en environnement ambiant à température ambiante. Plus important, la source lumineuse utilisée est toutes DEL, intensités : 4000 nW/cm² (260 nm), 558 nW/cm² (620 nm), 14 nW/cm² (945 nm). Outre la photoresponsivité, d'après les vitesses de réponse avec différentes longueurs d'onde, les NW InAsSb ont meilleure réponse à la lumière infrarouge.

Fig. 3a montre que notre dispositif a une réponse positive rapide et évidente au changement d'états DEL sous différentes températures, la photoconductance augmentant avec le courant DEL. Sans illumination, la conductance est ~1,04 × 10⁻⁷ Ω⁻¹, accord avec test sortie Fig. 2c. À température fixe, ΔG (conductance moins conductance d'obscurité) augmente quasi linéairement avec le courant DEL représentant l'intensité lumineuse. Quand la source était bloquée, le courant récupérait immédiatement l'état d'origine. Valeur max ΔG dans ce graphique : 3,2 × 10⁻⁸ Ω⁻¹ à 10 K. Deux types de photoréponse distinguables :

1. Pour la plupart températures, courants augmentent rapidement dès que DEL allumé, stables tant que DEL allumé ;
2. À 10 K et 20 K, augmentation rapide avec lumière aussi. Mais le courant diminue légèrement avec DEL allumé, laissant une "queue" dans le graphique, absente aux autres températures.

Pour clarifier le mécanisme intrinsèque des deux types de photoréponse, l'information de vitesse de réponse à 20 K (courant DEL 2000 µA) est extraite comme évidence, valeurs Fig. 3b. Temps de réponse τ_ris (intervalle 90 % pic à 10 % pic) = 1,8 s, temps de récupération τ_rec (défini opposément) = 2,4 s, quasi constants sur toute la gamme de température. Pour 10 K et 20 K, délai de la structure "queue" ~15,7 s, absent quand courant DEL < 500 µA. Combiné avec condition lumière ultra-faible encart Fig. 3a, trois types de photoréponse à 10 K et 20 K : lumière la plus faible (10–50 µA) → courant augmente lentement ; courant 100–500 µA → réponse rapide ; > 1000 µA → queue se forme. Seule une intensité lumineuse suffisante déclenche la structure "queue" transitoire. Structures "queue" similaires rapportées dans NW InAs, sources laser haute intensité, cohérent avec notre résultat : "queue" seulement zones haute intensité. Ils affirment que la "queue" vient de l'effet retardé correspondant au piégeage et dépiégeage de porteurs sur états de surface. Pour NW InAsSb, états de surface plus inévitables dû à l'effet surfactant sévère incorporé avec Sb. Nous anticipons que la structure "queue" provient des états de défauts de la structure de macle piégeant électrons seulement à certaines températures avec assistance lumière forte.

Pour un photodétecteur donné, la photoresponsivité : R = I_p / (P A), où I_p photocourant, P puissance lumineuse, A aire effective. Pour notre dispositif, aire effective 1 mm² (masque évaporation électrodes), aire réception photomètre 0,9 cm². Photoresponsivité : 4,25 mA/W (260 nm), 1,27 A/W (620 nm), 28,57 A/W (945 nm), confirmant le potentiel du dispositif sandwich NW InAsSb en détection infrarouge.

Photodétectivité : D* = R A¹/² / (2e I_dark)¹/², où R photoresponsivité, e charge électronique, I_dark courant d'obscurité (10,8 nA). Avec courant d'obscurité supprimé dans structure sandwich NW InAsSb, valeurs D* : 7,28 × 10⁷ (260 nm), 2 × 10¹⁰ (620 nm), 4,81 × 10¹¹ cm·Hz¹/²·W⁻¹ (945 nm). Notamment, le ratio de service des NW dans cette structure réseau < 50 %, rendant R et D* réels plus grands que calculés. Hauts R et D* attribués non seulement à l'effet de piégeage de lumière du dispositif réseau mais aussi à la structure d'interface. Comparés aux photodétecteurs NW résumés Ref. [45], température opération 300 K pour notre dispositif a potentiel d'application supérieur en conditions réelles. À température ambiante, photoresponsivité de notre dispositif NW InAsSb facile à fabriquer (28,57 A/W à 945 nm) dépasse la plupart dispositifs NW complexes (WSe₂/Bi₂Te₃ : 20 A/W à 980 nm ; PtSe₂/pérovskite : 0,12 A/W à 800 nm). Même si dipôle d'interface expérimentalement inaccessible, caractéristiques sortie Fig. 2 fournissent preuves solides de son existence. Comme suggéré, la couche interfaciale pourrait fonctionner comme réseau dipôle optique sous illumination, contribuant à facteur d'amplification de champ plus grand. Cet effet appelé effet d'amplification par dipôle d'interface (IDEE) dans études antérieures. L'IDEE fonctionne pour gamme de longueurs d'onde plus large que l'effet d'amplification plasmonique de surface qui n'existe que dans la gamme de résonance. L'effet d'amplification autour des états interfaciaux et l'effet de piégeage de lumière du dispositif réseau travaillent ensemble pour la détection lumière faible.

Figure 4 montre la relation entre photoréponse du dispositif InAsSb NW en fonction températures (Fig. 4a) et intensité lumineuse (Fig. 4b). I_p = valeur extrême photocourant avec lumière allumée. Photoréponse normalisée par intensité exacte pour protéger son influence sur tendance. D'abord, tendance similaire avec différentes intensités. Dans tous graphiques, photoconductance absolue augmente 2–20 K puis diminue jusqu'à 80 K, premier pic ~20 K, second ~100–120 K. Gamme température de ce pic accord avec gamme où "queue" transitoire existe. L'autre pic ~100–120 K, localisation spécifique se déplace vers températures plus hautes avec augmentation intensité lumineuse.

Le photocourant peut s'exprimer : I_p = q g V_NW [τ μ_d / l], où q charge élémentaire, g taux génération photoporteurs, V_NW volume NW, τ durée de vie porteurs minoritaires, μ_d mobilité dérive, l longueur NW. Cette équation clarifie que durée de vie porteurs minoritaires et mobilité dérive sont deux paramètres clés pour le photocourant. Le processus optoélectrique du dispositif réseau InAsSb est montré Fig. 4c, d. Avant lumière, transfert électrons entre Au et NW InAsSb forme courant d'obscurité. États de gap dus au dipôle d'interface assez courts pour transfert porteurs avec momentum suffisant. Dans notre dispositif, états d'interface induits par structure de macle native et défauts de fabrication agissent comme états de piégeage. Lumière allumée : électrons excès avec énergie/momentum suffisants piégés sur états d'interface (processus I et III). Concentration électronique diminuée → mobilité canal augmente et durée de vie photoporteurs prolongée. D'autre part, électrons piégés diffusent électrons dans canal → mobilité diminue. Électrons libérés retournent bande conduction par processus IV et participent au courant. Électrons énergie inférieure motivés sur bande conduction participent au courant (processus II). Après un moment, électrons recombinent avec trous laissés bande valence (processus V). Deux processus de diffusion : centres diffusion électrons piégés et diffusion électron-électron dans canal. Plus d'électrons piégés sur états d'interface → diminution mobilité et concentration porteurs dans canal. Subséquemment, diffusion électron-électron affaiblie → augmentation mobilité. En conclusion, ces deux processus coopèrent sur le courant et obtiennent un extrême ~10–20 K. Caractéristique notable : structure "queue", site pic stable, photoconductance persistante sous lumière ultra-faible. Sous lumière ultra-faible, quantité photons induite insuffisante pour atteindre photocourant saturé instantanément → photoconductance persistante jusqu'à saturation. Intensité lumineuse augmentée → photoporteurs boostent courant et atteignent valeur extrême temps réponse court. Mais plus compliqué haute intensité. Porteurs excès états saturés piégés états d'interface. Quand électrons piégés libérés vers bande conduction, concentration augmente à nouveau. Diffusion électron-électron croissante → courant diminue, effet retardé, structure "queue".

Pour second pic ~100–120 K, décalage similaire rapporté dans film Bi₂Te₃. Notre analyse indique existence centres recombinaison dans cette gamme. Mécanisme intrinsèque similaire Bi₂Te₃, lié équilibre photocourant (I_p) et courant d'obscurité (I_d). Dans notre cas, I_d quasi constant toute gamme température. I_p déterminé par durée vie porteurs minoritaires et mobilité dérive. Ces deux paramètres InAsSb NW ont relations opposées avec température. Durée vie minoritaires : porteurs sombres thermiquement excités augmentent avec température ainsi que taux recombinaison photoporteurs → durée vie inversement proportionnelle température. Mobilité dérive : proportionnelle température car haute température suscite excitation thermique dans NW. Pic émerge quand I_p et I_d atteignent équilibre à certaine température, ~100–120 K. Intensité lumineuse plus haute → plus photoporteurs → plus porteurs thermiques à température plus haute pour équilibre → second pic se déplace vers température plus haute quand intensité augmente. Fig. 4b montre photoconductivité dépendante intensité lumineuse, ΔG non normalisés. Intensité DEL augmente linéairement avec courant entrée (Additional file 1: Figure S6). Résultat représente relation photoréponse/intensité, démontrant potentiel dispositif réseau NW InAsSb en wattmètre optique.

Conclusions

En résumé, le photodétecteur à structure sandwich basé sur réseau NW InAsSb a atteint une performance optique splendide grâce aux MIGS induits par contact de bout. Dipôle d'interface et états de gap suppriment courant d'obscurité et améliorent capacité détection. Défauts natifs et défauts fabrication agissent comme états d'interface modulant propriétés optiques. Même sous lumière ultra-faible (4–20 nW/cm²), dispositif montre photoréponse évidente à température ambiante. Réponse aux DEL différentes longueurs d'onde indique réponse plus forte à lumière infrarouge (945 nm). Photoresponsivité et photodétectivité : 40 A/W et 7 × 10¹¹ cm Hz¹/² W⁻¹. Ces résultats confirment que la structure sandwich favorise répétabilité et fiabilité dispositifs NW, ouvrant voie fabrication dispositifs NW. Le plus important : dispositif peut fonctionner en environnement ambiant à température ambiante, percée majeure pour détection infrarouge.

Disponibilité des données et matériaux

Toutes les données sont pleinement disponibles sans restriction. Les jeux de données utilisés et/ou analysés pendant l'étude sont disponibles auprès de l'auteur correspondant sur demande raisonnable.

Abréviations

MBE :

Épitaxie par faisceaux moléculaires

1D :

Unidimensionnel

NW :

Nanofil

BEP :

Pression équivalente de faisceau

VS :

Vapeur-solide

VLS :

Vapeur-liquide-solide

EBL :

Lithographie par faisceau d'électrons

RIE :

Gravure ionique réactive

WZ :

Wurtzite

ZB :

Zinc blende

BFTEM :

Microscope électronique à balayage champ clair

HRTEM :

Microscope électronique en transmission haute résolution

SAED :

Diffraction électronique de zone sélectionnée

EDS :

Spectroscopie dispersive en énergie

MIGS :

État de gap induit par le métal

IDEE :

Effet d'amplification par dipôle d'interface

DEL :

Diode électroluminescente