Dopage p facilité par recuit thermique ambiant améliore les performances électriques et de photo-commutation de transistors FET ambipolaires WSe₂
Résumé
Contexte
Méthodes
Résultats et discussion
Caractérisation du dispositif Impact électrique du recuit ambiant Amélioration de la photo-commutation Réponse électrique-photo vs polarisation de grille Insights XPS, Raman et PLConclusions
Disponibilité des données et matériaux
Abréviations
Nanomatériaux
- Titane : propriétés clés et applications réelles
- Transistors JFET : direction courant grille et canaux N/P
- Transistors à effet de champ à jonction (JFET) : conception, fonctionnement et variantes avancées
- L'irradiation ultraviolette améliore la tension de blocage des diodes PiN 4H-SiC : aperçus expérimentaux et par simulation
- Synthèse efficace et caractérisation optique de nanocristaux et nanorods de sélénium submicroniques
- Transistors à effet de champ à nanoflocons de SnSe haute performance avec contacts ohmiques en or à faible résistance
- Optimisation des diélectriques de grille HfO₂/Ge : couches interfaciales SiO₂ in situ par PEALD améliorant l'interface, les propriétés électriques et l'alignement de bandes
- Gravure électroless HF/AgNO₃ de wafers n-Si(100) : réseaux de nanofils de silicium haute densité à faible réflectance et conductance ohmique
- L'optimisation du positionnement de nanoparticules d'or dans le TiO₂ améliore l'efficacité des cellules solaires à colorant sensibilisé