ATP Electronics sécurise l'approvisionnement DDR3 avec modules 8-Gb internes durant la transition DDR4

ATP Electronics a annoncé son engagement à fournir ses propres composants DDR3 8-Gb haute densité, assurant un approvisionnement fiable en mémoire DDR3 pour les systèmes réseau et embarqués qui ne peuvent pas encore transitionner vers des plateformes plus récentes.

Contexte de fin de vie DDR3

Avec l'industrie passant rapidement au DDR4, plusieurs fabricants leaders ont déjà déclaré la fin de vie (EOL) pour les modules DDR3 reposant sur des puces 8-Gb, et ont émis des avis EOL pour les composants sous-jacents.

Modules DDR3 propriétaires ATP

Les modules DDR3 propriétaires d'ATP sont construits à partir d'ICs 8-Gb rigoureusement caractérisés et testés. Fabriqués selon les standards exigeants d'ATP utilisant une technologie de procédé 2-nm, chaque puce subit un programme de test extensif qui améliore la performance globale du module.

Conçus pour être exempts de vulnérabilités row-hammer, les composants DDR3 d'ATP éliminent le risque de bit flips aléatoires causés par fuite de charge. Au niveau module, un test 100 % pendant burn-in (TDBI) est intégré en production pour garantir une qualité top-tier.

Configurations et options

Disponibles en configurations monolithiques 1-chip-select (1CS) et dual-chip-select (2CS), ATP offre une gamme de modules mémoire :

• DIMMs, SO-DIMMs et Mini-DIMMs 1CS à 16 GB et 1600 MT/s.
• DIMMs 2CS de 16 GB à 32 GB à 1333 MT/s ou 1600 MT/s.
• Mini-DIMMs 2CS à 8 GB et 1600 MT/s.
• Options ECC et non-ECC sur tous les facteurs de forme.

Engagement continu legacy

ATP reste pleinement engagé à supporter les exigences mémoire legacy. En septembre 2018, ATP a signé un accord de partenariat avec Micron Technology pour assurer la disponibilité continue des SO-DIMMs, UDIMMs et RDIMMs Micron DDR2 après les annonces EOL de Micron. Sous l'accord, ATP fabrique des modules DRAM DDR2 pour clients qui s'appuient encore sur plateformes supportant ces types de mémoire.