EN 1652 Cu-DLP H110 – Cuivre désoxydé premium pour applications avancées
Présentation du matériau Cu-DLP (CW023A)
Le Cu-DLP (numéro de matière CW023A) est un cuivre désoxydé à teneur résiduelle en cuivre limitée et faible. Il correspond à la désignation DIN SW-Cu (numéro de matière 2.0076 selon DIN 1787 : 1973-01).
Caractéristiques principales
- Durcissement par déformation à froid : La résistance à la traction et la dureté Brinell augmentent par formage à froid.
- Résistance à l'hydrogène : Excellente.
- Conductivité thermique et électrique : Les plus faibles parmi les cuivres purs.
Propriétés de transformation
| Procédé | Aptitude |
| Formage à chaud | Très bonne |
| Formage à froid | Très bonne |
| Usinabilité | Défavorable |
| Brasage fort | Très bonne |
| Brasage tendre | Très bonne |
| Soudage sous gaz protecteur | Bonne |
| Brunissage | Très bonne |
Applications typiques
Utilisé de préférence en génie des appareils et dans le bâtiment. Pour les bandes étamées électrolytiquement, les revêtements (étain brillant, étain mat, étain refondu, étain-plomb) sont répertoriés selon l'application (meilleure soudabilité, résistance à la corrosion, réduction de la résistance de contact électrique, aspect) dans la norme DIN EN 14436 : 2004-11 (Tableau 5).
Propriétés physiques et mécaniques
Général
| Propriété | Température | Valeur |
| Densité | 20,0 °C | 8,9 – 8,94 g/cm³ |
Mécaniques
| Propriété | Température | Valeur | Commentaire |
| Module d'élasticité | 20,0 °C | 129 – 132 GPa | |
| Dureté Vickers | 20,0 °C | 110 | |
| Coefficient de Poisson | 20,0 °C | 0,34 | |
| Module de cisaillement | 23,0 °C | 48 GPa | Typique pour cuivre déformé pur / faiblement allié |
Thermiques
| Propriété | Température | Valeur | Commentaire |
| Coefficient de dilatation thermique | 23,0 °C | 1,6 – 1,8×10⁻⁵ 1/K | Typique pour cuivre déformé pur / faiblement allié |
| Point de fusion | – | 965 – 1100 °C | Typique pour cuivre déformé pur / faiblement allié |
| Capacité thermique massique | 20,0 °C | 385 – 386 J/(kg·K) | |
| Conductivité thermique | 20,0 °C | 350 – 370 W/(m·K) | |
Électriques
| Propriété | Température | Valeur |
| Conductivité électrique | 20,0 °C | 5,20×10⁷ S/m |
| Résistivité électrique | 20,0 °C | 1,9×10⁻⁸ Ω·m |
| Conductivité électrique spécifique | – | 90 % IACS |
Composition chimique
| Élément | Teneur |
| Bismuth (Bi) | 5×10⁻⁴ % |
| Cuivre (Cu) | 99,9 % |
| Plomb (Pb) | 5×10⁻³ % |
| Phosphore (P) | 0,01 % |