Arséniure de bore sans défaut : dissipation thermique record pour puces électroniques
Les processeurs intègrent des milliards de transistors à l'échelle nanométrique. Si cette densité booste les performances, elle crée des points chauds critiques. Sans dissipation efficace, les puces ralentissent, deviennent instables et consomment plus d'énergie pour éviter la surchauffe.
Un matériau thermoconducteur d'exception
L'arséniure de bore (BAs) sans défaut a été développé : il surpasse diamant et carbure de silicium pour extraire et dissiper la chaleur. Intégré dans des puces à transistors HEMT (haute mobilité électronique) en nitrure de gallium, il limite l'élévation de température à ~87 °C (188 °F) à pleine charge, contre ~137 °C (278 °F) pour le diamant et ~167 °C (332 °F) pour le SiC.
Faible résistance thermique aux interfaces
L'arséniure de bore combine excellente conductivité thermique et très faible résistance thermique aux frontières matériaux. Habituellement, le passage de chaleur d'un matériau à l'autre ralentit ; le BAs minimise ce freinage.
L'équipe a aussi développé le phosphure de bore comme alternative prometteuse. Ils ont d'abord illustré la fabrication de structures semi-conductrices en BAs, puis son intégration en design de puce HEMT.
Matériau composite
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