Winbond lance mémoire 2Gb+2Gb NAND & LPDDR4x pour modems 5G CPE

Winbond Electronics a dévoilé le W71NW20KK1KW, une solution mémoire dual-die compacte 1,8 V qui fusionne 2 Gb de Flash NAND SLC avec 2 Gb de DRAM LPDDR4x dans un boîtier multi-puces (MCP) 8,0 × 9,5 × 0,8 mm à 149 billes BGA.

Optimisé pour CPE 5G statiques

Conçu spécifiquement pour les équipements de premises client (CPE) 5G, le W71NW20KK1KW offre l'équilibre optimal d'endurance, vitesse et efficacité énergétique requis pour les déploiements 5G statiques.

Les unités CPE 5G statiques fonctionnent généralement confortablement avec 2 Gb de NAND et 2 Gb de DRAM, faisant du W71NW20KK1KW une solution idéale et rentable qui consolide les deux types de mémoire en un seul boîtier BGA 149 billes.

Avantages d'intégration

En simplifiant la pile mémoire, les fabricants peuvent réduire l'espace carte, diminuer le nombre de composants et réduire les coûts de production — accélérant le déploiement de la 5G comme alternative viable au cuivre ou à l'optique xDSL dans le dernier kilomètre.

Performance NAND SLC

Le cœur NAND SLC offre une endurance et une intégrité de données exceptionnelles ; une taille de page de 2 Ko + 128 o permet l'utilisation de codes correcteurs d'erreur (ECC) jusqu'à 8 bits tandis que le dispositif ne nécessite que 4 bits d'ECC pour un fonctionnement fiable.

Avec une interface 8 bits large et des blocs de 64 pages, le die NAND atteint un temps de lecture de page maximal de 25 µs et un temps de programmation de page typique de 250 µs, assurant un accès rapide aux données pour les charges de travail 5G exigeantes.

Le W71NW20KK1KW de Winbond illustre l'engagement de l'entreprise à fournir des solutions mémoire haute performance, bas coût, qui renforcent les déploiements large bande de nouvelle génération.