Winbond dévoile package multi-puce 2 Gb + 2 Gb NAND + LPDDR4x pour CPE 5G

Winbond Electronics a introduit le W71NW20KK1KW, une solution mémoire 1,8 V 2 Gb + 2 Gb NAND Flash et LPDDR4x packagée dans un multi-chip package (MCP) compact 8,0 × 9,5 × 0,8 mm. Ce dispositif intégré combine NAND Flash SLC durable avec mémoire LPDDR4x haute vitesse, basse consommation, offrant capacité ample pour modems cellulaires 5G conçus comme customer premises equipment (CPE) en paramètres résidentiels et commerciaux.

Optimisé pour CPE 5G statique

Alors que modems 5G mobiles demandent typiquement densités mémoire plus hautes, unités CPE 5G statiques peuvent opérer efficacement avec 2 Gb NAND et 2 Gb DRAM. En consolidant cette combinaison mémoire en package unique space-saving, Winbond permet aux fabricants de rencontrer exigences système CPE tout en minimisant coûts matériaux et production.

L'architecture coût-optimisée du W71NW20KK1KW est attendue pour accélérer adoption consommateur 5G, le positionnant comme alternative viable aux liens xDSL cuivre ou optique traditionnels pour broadband dernier kilomètre.

Architecture MCP 149-ball BGA

Le MCP 149-ball BGA héberge une die NAND Flash SLC 2 Gb et une die LPDDR4x DRAM 2 Gb. La NAND SLC offre endurance exceptionnelle et intégrité données, requérant seulement ECC 4-bit pour opération fiable ; sa taille page 2 KB + 128 B supporte aussi ECC 8-bit quand nécessaire.

Configuré avec bus données 8-bit et organisé en blocs 64-page, la die NAND délivre temps lecture page max 25 µs et temps programmation page typique 250 µs, assurant accès données swift.

La die LPDDR4x tourne à 1866 MHz, présente interface LVSTL‑11, huit banques internes pour opération parallèle, et supporte taux données pic 4267 MT/s, matchant demandes haute vitesse réseaux 5G.