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Gravure ionique réactive (RIE) : clé de la microfabrication

Objectif

Éliminer sélectivement des substances sur wafers (plaquettes semi-conductrices) sans altérer leur intégrité. Utilisé pour microdispositifs.

Architecture classique

Plasma à couplage inductif (ICP)

Champ magnétique spécialisé → haute concentration plasma.

Mécanisme chimique (plasma RF)

  1. Champ électromagnétique RF substantiel → chambre
  2. Oscillation → ionisation gaz + arrachage électrons
  3. Création plasma chimiquement réactif
  4. Ions haute énergie → réagissent avec résidus wafer → nettoyage surface

Gravure sèche vs humide

Sèche (RIE)Humide
Pas de liquidesAcides/chimiques liquides
Pas d'attaque latérale (undercutting)Undercutting + déchets toxiques
Accès zones difficilesMoins précis zones complexes
Coût élevé (équipement spécialisé)Moins cher

Choix

RIE pour précision extrême. Gravure humide si détail minute non requis.

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