Gravure ionique réactive (RIE) : clé de la microfabrication
Objectif
Éliminer sélectivement des substances sur wafers (plaquettes semi-conductrices) sans altérer leur intégrité. Utilisé pour microdispositifs.
Architecture classique
- Chambre vide cylindrique
- Support wafer isolé en bas
- Orifices supérieurs pour injection gaz (selon besoins wafer)
Plasma à couplage inductif (ICP)
Champ magnétique spécialisé → haute concentration plasma.
Mécanisme chimique (plasma RF)
- Champ électromagnétique RF substantiel → chambre
- Oscillation → ionisation gaz + arrachage électrons
- Création plasma chimiquement réactif
- Ions haute énergie → réagissent avec résidus wafer → nettoyage surface
Gravure sèche vs humide
| Sèche (RIE) | Humide |
|---|---|
| Pas de liquides | Acides/chimiques liquides |
| Pas d'attaque latérale (undercutting) | Undercutting + déchets toxiques |
| Accès zones difficiles | Moins précis zones complexes |
| Coût élevé (équipement spécialisé) | Moins cher |
Choix
RIE pour précision extrême. Gravure humide si détail minute non requis.
Équipement industriel
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