Graveurs plasma : créer des pistes précises pour semi-conducteurs
Fonction
Un graveur plasma (plasma etcher) utilise un jet plasma précis sur tranche silicium pour créer les pistes conductrices des circuits intégrés. Réaction chimique surface : dépôt SiO₂ (pistes) OU gravure SiO₂ existant (laisser seulement pistes).
Génération du plasma
- Vide dans la chambre + champ électromagnétique haute fréquence.
- Gaz (O₂ ou F₂ selon objectif) traversé par champ → atomes excités → surchauffe.
- Dissociation atomes + arrachage électrons → ions.
- Sortie buse : jet fin, surchauffé d'ions = plasma.
Deux modes
- Gaz oxygène : Réaction avec Si wafer → dépôt SiO₂ (film mince) → pistes conductrices.
- Gaz fluoré : Détruit SiO₂ par réaction chimique → ne reste que pistes nécessaires.
Choix selon design : plus efficace de déposer ou graver selon ratio pistes/surface.
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