Les transistors pérovskite hautes performances peuvent être imprimés

Une équipe de recherche de l'Université des sciences et technologies de Pohang (POSTECH) a amélioré les performances d'un transistor semi-conducteur de type p en utilisant de la pérovskite aux halogénures métalliques inorganiques. L'un des plus grands avantages de la nouvelle technologie est qu'elle permet d'imprimer simplement des transistors pérovskites traités en solution en tant que circuits de type semi-conducteur.

Les transistors à base de pérovskite contrôlent le courant en combinant des semi-conducteurs de type p qui présentent des mobilités de trous avec des semi-conducteurs de type n. Par rapport aux semi-conducteurs de type n qui ont été activement étudiés jusqu'à présent, la fabrication de semi-conducteurs de type p hautes performances a été un défi.

De nombreux chercheurs ont essayé d'utiliser la pérovskite dans les semi-conducteurs de type p pour son excellente conductivité électrique, mais ses performances électriques et sa reproductibilité médiocres ont entravé la commercialisation.

Pour surmonter ce problème, les chercheurs ont utilisé l'halogénure métallique inorganique modifié :le triiodure d'étain de césium (CsSnI3), pour développer le semi-conducteur pérovskite de type p et ont fabriqué le transistor haute performance basé sur celui-ci. Le transistor présente une mobilité de trou élevée de 50 cm ² V ^-1 s ^-1 et plus et un rapport de courant marche/arrêt supérieur à 108. Il s'agit de la performance la plus élevée enregistrée parmi les transistors semi-conducteurs à pérovskite développés jusqu'à présent.

En transformant le matériau en une solution, les chercheurs ont réussi à imprimer simplement le transistor à semi-conducteur de type p comme s'ils imprimaient un document. Étant donné que cette méthode est non seulement pratique mais également rentable, elle peut conduire à la commercialisation de dispositifs à pérovskite à l'avenir.

« Le matériau semi-conducteur et le transistor nouvellement développés peuvent être largement applicables aux circuits logiques des écrans haut de gamme et des appareils électroniques portables. Ils peuvent également être utilisés dans des circuits électroniques empilés et des dispositifs optoélectroniques en les empilant verticalement avec des semi-conducteurs en silicium », a expliqué le professeur Yong-Young Noh.