Winbond :2 Go+2 Go de mémoire NAND et LPDDR4x pour modems CPE 5G

Winbond Electronics a annoncé le lancement d'un nouveau produit de mémoire Flash NAND 1,8 V 2 Gb+2 Gb et LPDDR4x dans un boîtier multi-puces compact de 8,0 x 9,5 x 0,8 mm (MCP).

Le nouveau produit W71NW20KK1KW, qui combine une mémoire Flash NAND à cellule unique (SLC) robuste et une mémoire LPDDR4x haute vitesse et basse consommation, offre une capacité de mémoire suffisante pour les modems cellulaires 5G destinés à être utilisés comme équipement client (CPE) dans les maisons et bureaux.

Alors que les modems 5G mobiles nécessitent généralement des densités de mémoire plus importantes, les modems CPE 5G statiques peuvent parfaitement fonctionner avec des capacités de mémoire de 2 Go NAND/2 Go DRAM. En proposant cette combinaison de mémoire dans un seul boîtier compact, le W71NW20KK1KW de Winbond permet aux fabricants de modems 5G de répondre aux exigences système des unités CPE aux matériaux et aux coûts de production les plus bas possibles.

Il est prévu que l'introduction d'une nouvelle génération d'unités CPE 5G à coûts optimisés intégrant le W71NW20KK1KW contribuera à accélérer l'adoption par les consommateurs de la 5G en tant qu'alternative aux liaisons fixes en cuivre ou optiques xDSL dans le dernier kilomètre des réseaux à haut débit. .

Le W71NW20KK1KW est un MCP BGA à 149 billes composé d'une puce Flash NAND SLC de 2 Go et d'une puce DRAM LPDDR4x de 2 Go. La mémoire flash SLC NAND robuste offre d'excellentes spécifications d'endurance et une haute intégrité des données. Le SLC NAND ne nécessite qu'un ECC 4 bits pour obtenir une intégrité élevée des données, mais la taille de page de 2 Ko+128 B de l'appareil offre suffisamment d'espace pour l'utilisation d'ECC 8 bits.

Le W71NW20KK1KW possède un bus 8 bits et est organisé en blocs de 64 pages. Les spécifications de performance de la matrice NAND incluent un temps de lecture de page maximum de 25 µs et un temps de programme de page typique de 250 µs.