Fiche Technique IRF840 : Vue d'Ensemble Complète du MOSFET Canal N pour Applications Haute Tension

L'IRF840 est un MOSFET canal N pour applications haute tension jusqu'à 500V. Il offre des capacités de commutation haute vitesse, utilisé pour amplification et commutation. Cet article détaille la fiche technique IRF840 et ses utilisations, avec d'autres informations sur ce MOSFET haute tension unique.

Fiche Technique IRF840 : Configuration des Broches

En électronique, la configuration des broches est cruciale ; une mauvaise configuration rend le composant inutilisable.

Le tableau ci-dessous affiche la configuration des broches IRF840.

Fiche Technique IRF840 : Caractéristiques

• Temps de chute et montée : 20ns et 23ns
• Boîtier TO-220
• Résistance Drain-Source (RDS(on)) : 0,85 Ω
• Tension de claquage Drain-Source : 500V
• Tension de seuil de grille (VGS-th) : 10V (LIMITE = ±20V)
• Courant de drain continu : 8A
• MOSFET de puissance canal N

(Photo rapprochée d'un MOSFET APM2510N sur carte graphique)

Fiche Technique IRF840 : Remplacement et Équivalents

IRF840A ; IRF840LC ; IRFB17N50L

Où Utiliser l'IRF840 ?

Utilisez l'IRF840 dans circuits nécessitant charge haute tension jusqu'à 500V et courant de charge jusqu'à 8A. Aussi pour circuits requérant commutation rapide. Utile pour fabricants d'amplificateurs audio haute puissance.

(Image d'un réseau de transistors MOSFET DPAK illustration 3D isolée sur blanc)

Applications

• Circuits chargeurs de batteries
• Applications énergie solaire
• Alimentations sans interruption (UPS)
• Commutation dispositifs haute puissance
• Contrôleurs/Drivers moteurs DC
• Contrôle vitesse moteurs
• Contrôleurs/Drivers moteurs AC
• Applications nécessitant commutation rapide

(Image de MOSFET de puissance sur PCB)

Conclusion

En résumé, l'IRF840 est l'un des meilleurs transistors à effet de champ, très utilisé en circuits analogiques et numériques. Pour infos sur prix, specs techniques et délais, contactez-nous à wellpcb.