Introduction aux transistors à effet de champ à grille isolée

Comme indiqué dans le chapitre précédent, il existe plusieurs types de transistors à effet de champ. Le transistor à effet de champ à jonction, ou JFET, utilise une tension appliquée à travers une jonction PN polarisée en inverse pour contrôler la largeur de la région d'appauvrissement de cette jonction, qui contrôle ensuite la conductivité d'un canal semi-conducteur à travers lequel le courant contrôlé se déplace. Un autre type de dispositif à effet de champ - le transistor à effet de champ à grille isolée, ou IGFET - exploite un principe similaire d'une région d'appauvrissement contrôlant la conductivité à travers un canal semi-conducteur, mais il diffère principalement du JFET en ce qu'il n'y a pas de connexion directe entre le fil de grille et le matériau semi-conducteur lui-même. Au lieu de cela, le fil de grille est isolé du corps du transistor par une fine barrière, d'où le terme grille isolée. Cette barrière isolante agit comme la couche diélectrique d'un condensateur et permet à la tension grille-source d'influencer la région d'appauvrissement de manière électrostatique plutôt que par connexion directe.

En plus d'un choix de conception de canal N par rapport à la conception de canal P, les IGFET sont disponibles en deux types principaux :l'amélioration et l'épuisement. Le type d'épuisement est plus étroitement lié au JFET, nous allons donc commencer notre étude des IGFET par lui.

FEUILLE DE TRAVAIL CONNEXE :

• Fiche de travail sur les transistors à effet de champ à grille isolée