Transistors IGFET (MOSFET) : modes déplétion et enrichissement
Les transistors à effet de champ à grille isolée (IGFET), communément MOSFET, sont l'épine dorsale circuits numériques et puissance modernes. Comprendre comment leur tension grille contrôle canal conductif est essentiel pour conception fiable.
Dans le diagramme ci-dessus, deux symboles — un trait plein, un trait pointillé — distinguent dispositifs mode déplétion et mode enrichissement.
- MOSFET mode déplétion : Tension grille polarité opposée à source repousse porteurs, rétrécit canal et finit par éteindre dispositif.
- MOSFET mode enrichissement : Tension grille même polarité que source attire porteurs, élargit canal et permet conduction source-drain.
Ces principes signifient : transistors déplétion = interrupteurs normalement fermés (ON), transistors enrichissement = normalement ouverts (OFF) nécessitant commande grille pour conduire.
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