Étude par principes premiers du dopage électrique de dispositifs nanométriques

Résumé

Le dopage est la caractéristique clé de la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. De nombreuses stratégies ont été découvertes pour contrôler le dopage en physique des semi-conducteurs ces dernières décennies. Le dopage électrique est une approche prometteuse pour régler efficacement les populations de charges, les propriétés électroniques et de transmission. Ce procédé réduit les risques de haute température et contamination par particules étrangères. D'importants efforts expérimentaux et théoriques ont étudié le dopage électrique. Cet article : (1) revue historique du dopage électrique ; (2) dopage électrique au niveau moléculaire ; (3) travaux expérimentaux moléculaires et recherches variées ; (4) importance du dopage électrique ; (5) méthodes de dopage électrique ; (6) étude comparative dopage électrique vs conventionnel.

Introduction

Le dopage détermine les caractéristiques physiques et applications de matériaux organiques/inorganiques, surtout semi-conducteurs. Une petite quantité d'impuretés détermine la concentration dopant et conductivité électrique. Un dopant idéal doit avoir solubilité idéale dans l'hôte et bas niveau de défaut. Problèmes du dopage conventionnel : goulot d'étranglement affectant performance, sévère pour matériaux grand gap. Exemple : dopage n-type difficile pour minima bande conduction haute, p-type pour maxima bande valence basse. Dopage bipolaire impossible dans semi-conducteurs grand gap (soit p soit n, pas les deux). Solution : dopage électrique, indépendant du dopage bipolaire.

Années 1980-90 : cristaux GaN III-V difficiles à croître, substrats GaN commerciaux indisponibles. Différence constantes de réseau et dilatation thermique saphir/GaN → croissance épitaxiale GaN difficile. Dopage p-type GaN quasi impossible (forte concentration n-type fond, faible activité p-type). Solution par dopage électrique (Rudaz, 1998). Années 1980 : couches tampon GaN/AlN pour LED GaN basses températures. Recuit thermique post-croissance active dopants p-type dans couches tampon GaN. Avancées pour dispositifs optoélectroniques grand gap III-V nitrures. Substrats GaN et recuit post-croissance jouent rôle clé.

Dernières décennies : gravure plasma haute densité (ICP, ECR) clé pour ULSI réduire motifs. Problèmes inhérents : accumulation charge, rayonnement UV photon, performance gravure nanodispositifs. Solution : gravure faisceau neutre (S. Samukawa). Gravure sans dommage (atome par atome), modification surface matériaux inorganiques/organiques. Technologie capable pour nanodispositifs futurs. Problèmes plasma haute densité : radiations endommagent accumulation charge ions/électrons positifs ; UV, VUV endommagent nanodispositifs ; photons X rompent nanodispositifs ; accumulation charge distord trajectoires ions, fracture films grille mince ; photons UV/VUV génèrent défauts cristallins. Ces problèmes dégradent propriétés électriques nanodispositifs. Système gravure faisceau neutre haute performance les évite. S. Samukawa : source faisceau neutre haute efficacité pour gravure ultime top-down nanodispositifs futurs (50 nm à sub-10 nm).

Organisation : (1) feuille de route historique dopage électrique ; (2) travaux expérimentaux niveau moléculaire ; (3) discussions recherches variées dopage électrique ; (4) importances dopage électrique ; (5) méthode dopage électrique ; (6) étude comparative dopage conventionnel vs électrique.

Feuille de route historique du dopage électrique

Bien que centré sur dopage électrique niveau moléculaire, important de revoir histoire dopage conventionnel. 1930 : conductivité semi-conducteurs affectée par traces impuretés. 1931 : premier formalisme quantique-mécanique matériaux semi-conducteurs. 1938 : prototype jonction p-n par Davydov (importance porteurs minoritaires). Woodyard introduit concept « dopage » : phosphore, arsenic, antimoine dans germanium pur → propriétés électriques améliorées. 1949 : transistor jonction Shockley → révolution industrie semi-conducteurs. Problèmes transistor bipolaire : deux couches p-n dos à dos espace mince. Résolu 1950 : « grown junction transistor » Bell Labs, méthode double-dopage. Double-dopage : gallium dans germanium n-type fondu → p-type ; puis antimoine → retour n-type. Deux dopants dos à dos. Années 1950 : « co-dopage » = jonctions p et n considérées comme co-dopage.

Dopage niveau moléculaire partie importante dopage électrique. 1998 : Rudaz propose maximiser effet dopage électrique en réduisant fissuration matériaux III-V. 2002 : Zhou et al. diode électroluminescente organique transparente déposée sous vide, basse tension, par dopage électrique. Dopage électrique crucial pour performance dispositifs organiques. Injection porteurs dopés électriquement pour OLEDs. Couches transport : basses tensions pilotage, anions/cations radicaux, contacts ohmiques interfaces électrodes. OLEDs ultra-basse tension : 2,6 V pour 100 cd/m² structure p-i-n. Émission intrinsèque sandwichée entre couches transport grand gap p- et n-type. Activités dopage électrique films moléculaires organiques soulignées dans plusieurs études.

Procédure évitant bombardement ionique conception dispositifs échelle atomique. Gao et Kahn démontrent sur films minces moléculaires. Composés ex : polymère polycarbonate avec tris(4-bromophényl)aminium hexachloroantimonate (TBAHA), 4,4′,4″-tris(3-méthylphénylphénylamino)-triphénylamine (m-MTDATA) couche transport trous p-dopée F4-TCNQ → fabrication OLEDs. Utilisé aussi cellules photovoltaïques organiques (OPVC). Accord niveau OPVC : agit sur conductivité cellules. Insertion porteurs charge augmentée. Interfaces méta-organiques : commence et amène arrangement couche déplétion → transmission tunnel quantique. Procédé efficace pour fabrication contacts organique/inorganique. Décale niveaux neutralité charge films minces moléculaires. ~0,1-1 % molécules étrangères incluses interfaces moléculaires → concentration dopage grande vs conventionnel → semi-conducteurs dégénérés → empêche formation bandes induites dopage.

Procédé dopage électrique et son importance

Technique principale : contrôle niveau Fermi. Populaire semi-conducteurs inorganiques/organiques dernières décennies. Attire attention nanotechnologie bioinspirée. Dopage électrique = insertion charge électronique ou acceptation vers films moléculaires. Clé : dopage n/p conventionnel ne peut contraindre bipolarité. Ionisation conventionnelle non appliquée. Procédé introduit pour éviter bombardement ionique (impossible modélisation nanodispositifs).

Deux étapes : (1) transfert électron unique donneur → accepteur (dans molécules) ; (2) dissociation complexe transfert charge état fondamental entier. Confirmé : dopage électrique = décalage niveau Fermi vers niveau moléculaire occupé最高 (bande valence) ou niveau moléculaire non occupé最低 (bande conduction). Porteurs libres ρ, densité dopant ionisé N_A⁻, concentration dopant neutre N_A → densité porteurs libres Eq. (1). E_A, E_F énergies accepteur/Fermi, K_B constante Boltzmann température absolue T.

Technique réalisée par conception deux sondes dans Atomistix Tool Kit-Virtual Nano Lab (ATK-VNL). Dispositifs atomistiques bioinspirés cœur nanotechnologie. Fréquence ultra-haute THz (~THz). Exemple : jonction tunnel GaAs-Adénine-GaAs, fréquence ~25 THz.

Dopage = induction intentionnelle impuretés externes semi-conducteur pur pour performance électrique améliorée. Importance dopage électrique :

Différent dopage conventionnel. Conventionnel : semi-conducteur dopé impuretés extrinsèques. Procédé haute température. Risque rupture liaisons. Ionisation utilisée. Dopage électrique : sans impuretés. Charges opposées induites deux extrémités dispositif → chute potentielle région moléculaire centrale nanodispositif. Utile conception nanodispositifs : ionisation peut déformer structure nanomateriaux. Problèmes dopage conventionnel listés Tableau 1. Différenciation conventionnel/électrique Tableau 1 → importance dopage électrique nanofabrication.

Tableau 1 montre pourquoi dopage électrique important niveau moléculaire : évite génération chaleur, réactions interatomiques/intermoléculaires, compatible toute procédure conception nanodispositifs.

Procédé dopage électrique mis en évidence. Utile fabrication nanodispositifs, préparation films minces moléculaires. Insertion porteurs charge deux extrémités dispositif moléculaire. Schéma Fig. 1 : dopage électrique conceptuel. Deux électrodes : insertion charges égales opposées → chute potentielle région centrale moléculaire. Force motrice conduction charge entre électrodes via partie centrale. Procédé réel dopage électrique. Utilisé modélisation analytique/théorique nanodispositifs, aussi préparation films minces organiques/inorganiques.

Fig. 1 : flux électron/porteur charge d'une électrode à l'autre par chute potentielle imposée par variation biais bornes électrodes.

Dopage électrique au niveau moléculaire

Intérêt récent dopage contrôlé. Dopage électrique introduit dopage contrôlé semi-conducteurs inorganiques → accord propriétés électriques. Accord gap optique semi-conducteurs avec variation chimique. Procédé faible coût, substrats flexibles.

Procédé = différence potentielle deux extrémités nanodispositif. Travail théorique : polarités différentes même tension bornes nanodispositif via électrodes deux sondes. Schéma Fig. 2 (ATK-VNL). Crée régions hautement dopées positives (p+) et négatives (n+), cruciales conception nanodispositifs semi-conducteurs organiques/inorganiques.

Injection porteurs charge interfaces moléculaires. Dopage électrique = procédé contrôlé molécules organiques vs films minces inorganiques. Dopants p/n conventionnels non obligatoires. Augmente injection porteurs, diminue tension pilotage → efficacité dispositif accrue. Dépend uniquement injection transmission électronique ou réception électron molécule hôte.

Chaîne hétérojonction adénine/thymine biomolécules pour détecter gaz traversant nanopore GaAs [47]. Dopage électrique induit deux parties nanosheet. Inductance efficace → chaîne biomoléculaire détecte molécules gaz adsorbées. Conception nanodispositifs : adsorption molécules. Ex : adsorption molécules volatiles 32 °C nanofil ZnO [53]. Approche premiers principes DFT/NEGF : nano-FET conception modifications structurales. Propriétés : évaluation scalabilité, gaps HOMO-LUMO, courant max, performance RF, linéarité [54-61]. Diode moléculaire co-oligomères conjugués par DFT/NEGF. Co-oligomères connectés deux électrodes → diode moléculaire. Gap énergie, caractéristiques I-V, orientations spatiales analysées [62]. Approche premiers principes nanostructures géométriquement optimisées 7 jonctions dérivées nanotube carbone (CNT) différents linkers [63]. Divers diodes : Schottky, diode moléculaire unique, diode courant spin, diode spin bipolaire, diode di-bloc, caractéristiques diode arrière [64-68].

Travaux recherche niveau moléculaire basés dopage électrique

Dopage électrique niveau moléculaire rôle clé nanoélectronique. Chercheurs intéressés introduire cette procédure conception nanodispositifs. Effet aide interface alignement niveaux moléculaires. Utile étude hétérojonction organique niveau moléculaire, acceptable matériaux inorganiques. Aide formation interface dipole et déplacement équivalent position comparative interface moléculaire. Procédé acceptable alignement interface moléculaire.

Miniaturisation dispositifs électroniques conventionnels = domaine recherche émergent. Approches motivent étude nature nanodispositifs. Concevoir/simuler nanostructures analytiques. Dispositifs significatifs conçus par simulation, résultats analysés [47,55,56]. Résultats → modification paramètres simulation, aspects modèle analytique nanoscale. Approche premiers principes = plus efficace/populaire. Modernisation dispositifs encourage innovation versions modifiées. Ex : dispositifs semi-conducteurs traditionnels conçus biomolécules. Biomolécules : bases azotées adénine, thymine, guanine, cytosine (blocs ADN) [47,55]. Construction dispositifs semi-conducteurs inorganiques conventionnels courante nanotechnologie. Difficile dispositifs électroniques organiques biomolécules. Semi-conducteurs caractérisés propriétés dopage. Sans impureté = intrinsèque/pur. Avec atomes/molécules étrangers = extrinsèque/impur [55-60].

Conception nanodispositifs = défi. Diode, transistor, portes logiques implémentés niveau moléculaire. Portée : nanodispositifs biosemi-conducteurs niveau moléculaire. Certains déjà biomédecine. Conception théorique : Atomistix-Tool Kit, Virtual Nano Laboratory (ATK-VNL) simulateur Quantumwise v13.8.0 [69-76]. Automates cellulaires quantiques (QCA) logiques implémentables DFT/NEGF premiers principes [77]. Portes logiques biomolécules possibles, résultats validés Multi-Sim/SPICE/autres [70]. Dopage électrique = caractéristique clé courant optimal. Courant tunnel canal moléculaire affecté facteurs (rétrodiffusion, etc.). Dopage évite problèmes dopage conventionnel. Modèle dipole combinaison accord barrière Schottky interface métal-semi-conducteur niveau moléculaire [78]. Approche premiers principes jonction tunnel magnétique, propriétés quantiques électroniques analysées [79]. Courant fuite SiO₂ et SiO_xN_y MOSFET par DFT/NEGF [80]. Modélisation ab-initio accord hauteur barrière Schottky interface siliciure yttrium/nickel échelle atomique [81]. Tunnel bande-à-bande direct jonction p-n nanoruban MOS2 polarisée inverse par DFT/NEGF [82]. Effet incorporation atomes dopants polarités opposées nanofil → propriétés diode Zener [83]. Filtrage dual-spin demi-métallique YN₂ [84]. Investigation hétérostructure biomoléculaire FET par dopage électrique. Transport quantique ballistique observable [85]. Interrupteur biomoléculaire dopé électriquement avec électrodes nanotube carbone paroi unique (SWCNT) [86]. NEGF diode tunnel résonant anti-point graphène [87]. Caractéristiques atomistiques jonctions p-n silicium 2D par approche premiers principes [88]. Diode/transistor = blocs base circuitry électronique. Portes logiques par diodes/transistors → toute logique implémentable formalismes premiers principes.

Tendance nanotechnologie : conception/caractérisation fonctionnalités électromécaniques dispositifs bioinspirés/semi-conducteurs échelle atomique. Dispositifs bioinspirés = haute biocompatibilité, pont semi-conducteurs/recherche biomoléculaire. Technologie CMOS saturée. Objectif : remplacer/créer pont. Propositions : joindre CMOS technologie bioinspirée (ADN, biomolécules). Parties importantes ADN : bases azotées adénine, thymine, cytosine, guanine. Composites avec sucre ribose, groupes phosphate → oligonucleotide. Groupes phosphate = squelette. Corrélations signaux dynamiques améliorées identification biomolécules/ADN [89]. Translocation ADN, transmission électronique, modélisation semi-empirique nanopore graphène par DFT/NEGF [90-93]. Analyse ADN électrodes graphène modélisation semi-empirique [94]. Reconnaissance paires bases acides nucléiques transport transversal [95]. Conductance ADN court proposé [96]. Amélioration électronique dopage paires bases ADN [97]. Promotion électronique double transfert proton [98]. Reconnaissance nucléotides cross-tunneling premiers principes [99]. Facteurs structuraux contrôlent conductivité ADN [100]. Nanodispositifs = phénomène transport quantique énorme [56,58,59,101-107]. Dispositifs : FETs, diodes, commutateurs optiques [60,68,108-116]. Travail = approche pont biomolécules/technologie III-V semi-conducteurs. Hétérostructure biomolécules/nanocristaux III-V par approche théorique premiers principes. Propriétés électriques/optiques graphène co-dopé azote/or par formalismes premiers principes. Investigation changement caractéristiques quantiques-mécaniques, propriétés électroniques/optiques molécules organiques/inorganiques. Investigation graphène défauts lacunes, graphène dopé Mn absorption H₂S. Ferromagnétisme approche premiers principes monocouche AlN dopé métaux transition. Effet dopage monocouche MoS₂ DFT lumière visible. Étude changement propriétés électroniques phosphorène dopé Eu premiers principes. Fonctionnalités transport quantique électromécanique disponibles [117-121].

1987 : Destefanis propose dopage électrique HgCdTe implantation ionique + traitement thermique. Augmenter pixels réseaux plans focaux détecteurs photovoltaïques infrarouges. Implantation ionique HgCdTe croissante. Fabrication détecteurs photovoltaïques IR : dopage électrique introduit. Effet dopage électrique HgCdTe significatif : propriétés intrinsèques diodes directement liées [122]. Dopage électrique aussi proposé amélioration absorption plasmonique nanocristaux core-shell Au-PbS. Méthode : transfert charge intra-particule. Nanocristaux colloïdaux = blocs base cellules solaires, photo-détecteurs. Investigation propriétés électroniques matériaux nanocristallins colloïdaux, nouvelle approche dopage électrique solides nanocristallins par transfert charge intra-particule [123]. Flux processus simulation Fig. 3.

Méthodes simulation dopage électrique

Conception analytique dispositifs moléculaires = innovation/amélioration constante science matériaux. Théorie fonctionnelle densité (DFT) et fonction Green non-équilibre (NEGF) = deux formalismes clés analytique modélisation nanodispositifs. Approche premiers principes combine les deux pour décrire théoriquement nanodispositifs. Théorie Hückel étendue (EHT) = facteur clé accélérer conception dispositifs atomistiques [126,127]. Modélisation théorique prévient problèmes conception nanoscale : risques dopage particules étrangères, génération fréquence THz fonctionnement, etc. Autre but : fonctionnement dispositif température électronique 300 K (température ambiante). Semi-conducteurs III-V = matériaux optiquement solides pour dispositifs électroniques variés. Après silicium, III-V = domaine émergent désirable nanotechnologie semi-conducteurs. Biomolécules (adénine, thymine, guanine, cytosine) → dispositifs nanoscale électroniques. Exposition optique biomolécules simulées région near-UV (mid-UV-B). Caractérisation électronique nanodispositifs simulés par approche premiers principes. Modélisation semi-empirique EHT pour simulation plus rapide. Objectif : conception/caractérisation matériaux III-V + biomolécules formalismes DFT/NEGF premiers principes. Conception semi-empirique nanodispositifs bioinspirés package simulation Quantumwise.

Inclure dopage électrique dispositifs moléculaires : charge même mais opposée deux extrémités interface moléculaire. Concentration dopage électrique calculée :

Hypothèses : électrodes ~1 nm long, section 0,5 nm × 0,5 nm. Éditeur script : section calculateur électrodes, charge = +0,01 et −0,01. Étude théorique : package ATK-VNL. DFT/NEGF premiers principes. Calcul formule :

• Concentration dopage effective = dopage/volume
• Charge dopage = ± x V
• Volume = longueur (a) × largeur (b) × hauteur (c) = a × b × c
• Volume = (a × 10^–7) × (b × 10^–7) × (c × 10^–7) cm⁻³ = abc × 10^–21/cm³
• Dopage effectif = x / (abc × 10^–21) = abc × 10²¹/cm³ [dimensions nm]

Volumes électrodes constants → Fig. 4 : concentration dopage proportionnelle tension biais appliquée. Taille électrodes constante. Petit changement taille → grand changement concentration. Changement faible tension biais → dopage électrique très élevé système approche premiers principes.

Dopage électrique dépend deux paramètres : (1) charge dopage effective (charge bornes électrodes) ; (2) volume nanodispositif. Formule dopage/volume → si longueur/hauteur/largeur change, concentration dopage change. Structure dispositif : volume fonction longueur, hauteur, largeur.

Température et épaisseur affectent performance nanodispositifs. Auto-échauffement + bruit thermique → changements transport quantique ballistique faible dimension. Température = rôle important performance. Épaisseur liée volume, dopage effectif directement lié volume → épaisseur affecte performance. Épaisseur change → volume change → concentration dopage change. Concentration dopage liée performance : conductivité canal, caractéristiques I-V, etc. Dopage change par épaisseur → performance change.

Évolution du dopage électrique

Dopage = addition atomes impuretés explicites semi-conducteur. Dopage = addition intentionnelle atomes semi-conducteur intrinsèque pour moduler propriétés électriques. Tailles électrodes insérées éditeur script : longueur 1 nm, section 0,5×0,5 nm. Charge nominale ±0,01 deux électrodes. Script traité job manager → valeur dopage calculée électrodes. Étapes :

• Nouveau calculateur, sélection « ATK-SE: Extended Hückel (Device) »
• Décocher « No SCF iteration »
• Coupe maillage 10 Hartree
• « Poisson Solver » : conditions limites « Neumann » directions A(X) et B(Y)

Fig. 5 : forme consolidée étude comparative dopage électrique vs conventionnel (Fe, Ni). Expérience analytique nanotube thymine (exemple dopage électrique). Atomes Fe, Ni dopent nanotube thymine ; autre côté : molécule dopée électriquement. Résultats : dopage électrique bien supérieur dopage conventionnel pour faible biais. Exemples travaux dopage électrique + avantages vs conventionnel Tableau 2. Étude comparative dispositifs dopés électriquement vs modélisation existante dopage conventionnel. Types dopage/dopants : conventionnel (ajout impureté), électrique, co-dopage. Deux types dopants conventionnel : p-type (accepteur), n-type (donneur). Impuretés externes ajoutées matériaux semi-conducteurs → améliorent propriétés électriques (conductivité). Dopage électrique (modélisation analytique ATK-VNL) : pas ajout atomes externes. Focus changement différence potentielle deux extrémités dispositif (bornes électrodes). Co-dopage = dopage semi-conducteur + autre substance. Ex : Co et N ajoutés nanofils MoO₂ → performance électronique accrue [128-130]. Propriétés électroniques, optiques, morphologiques films minces moléculaires p-dopés polyfuran (PF) investiguées large gamme ratios dopage électrique. Concentration dopage ≤ 2 % → courant court-circuit dispositif photovoltaïque PF augmenté significativement [44].

Fig. 6 : concentration dopage annuelle. Avant 2000 : concentration élevée ; après : plus basse. Performance dispositif améliorée, mais concentration dopage réduit rapidement [124,128,134-136].

Procédés dopage optique/électrique silicium holmium 1999. État hybridation intermoléculaire gouverné dopage électrique. Semi-conducteurs organiques : dopage électrique moléculaire en contradiction autres méthodes (formation polaron). Objectif : état dérivé polaron énergie ionisation diminuée par photoélectrospectroscopie UV [134]. Profil dopage électrique condensateurs films ferroélectriques investigué par mesure capacitance-tension. Effet profilage concentration dopage électrique ferroélectriques investigué : (1) permittivité dépendante champ/espace ; (2) analyse commutation domaine profilage Schottky [135].

Fig. 7 : température fonctionnement dispositifs dopage-dépendants. Graphique complexe, pas règle précise. Conclusion : température dépend uniquement type matériaux utilisés.

Nouveau modèle dissociation atomes cuivre/silice interface couche mince moléculaire graphène maillé hydrogéné catalytique méthode dopage électrique semi-permanent. Dopage électronique stable liaisons C-N. Effet états pièges dopage électrique semi-conducteurs organiques investigué. Transfert charge direct état piège molécules hôtes → molécules dopants → effet électrique accru semi-conducteurs organiques. Conductivité accrue. Densité/énergie pièges analysées spectroscopie impédance [136].

Fig. 8 : épaisseur couches wafer réduit annuellement. Temps augmente → épaisseur réduit, performance augmente.

Poly(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl) (PFO) dopé/non-dopé électriquement + films tétrafluorotétracyanoquinodiméthane composés spectroscopie photoélectronique, caractéristiques I-V investiguées. Région déplétion créée interface PFO → courant augmenté [137,138]. Capteurs gaz haute température : dopage rôle important. Conductivité/sensibilité gaz films minces Ga₂O₃ investiguée. Concentration dopage influence sensibilité surface [138].

Fig. 9 : longueur d'onde coupure dispositifs réduit fortement quelques décennies → performance améliorée significativement. Tableau 3 : caractéristiques dispositifs dopage électrique vs conventionnel.

Enquête : revue travaux établis dopage électrique. Nos travaux : dopage électrique package simulation Quantumwise atmosphère ATK-VNL v13.8.0. Simulation basée formalismes premiers principes DFT/NEGF. Quantumwise = ensemble compact outils modélisation échelle atomique. Développé 2003 par professionnels logiciel + universitaires. Moteurs simulation ATK-VNL calculent structure électronique, formulent intercorrélations orbitales atomiques. Plateforme introduit dopage électrique niveau moléculaire.

Conclusion

Rapport illustre brièvement comparaison dopage conventionnel vs électrique. Dopage électrique pas si nouveau, mais implémentation DFT/NEGF premiers principes donne nouveau tournant. Dopage électrique à implémenter approches modélisation moléculaire → nouvelle ère nanoélectronique. Étude examine phénomène dopage électrique : pourquoi important, comment fonctionne modélisation moléculaire, calcul concentration dopage électrique. Étude comparative dopage électrique vs conventionnel molécule acépromazine. Conclusion : future, cette approche prouvera valeur modélisation nanodispositifs.

Disponibilité données et matériaux

Toutes données et matériaux disponibles dans manuscrit.

Abréviations

DFT :

Théorie fonctionnelle densité

NEGF :

Fonction Green non-équilibre

OPVC :

Cellule photovoltaïque organique

ATK-VNL :

Atomistix Tool Kit-Virtual Nano-Laboratory

HOMO-LUMO :

Orbital moléculaire occupé最高 - orbital moléculaire non occupé最低

CNT :

Nanotube carbone

I-V :

Courant-tension

QCA :

Automates cellulaires quantiques

YN₂ :

Nitrite yttrium

ATK-SE :

Atomistix Tool Kit-Semi-empirique