Circuits supraconducteurs double face sur wafers de silicium ultra-minces : solution compacte, faible diaphonie

Une nouvelle méthodologie de fabrication répond au besoin d'une carte de circuit double face mince, capable de faible diaphonie entre capteurs et de faibles pertes dans les lignes de transmission.

La méthode de fabrication permet d'utiliser un wafer de silicium minimaliste comme carte de circuit tout en réduisant l'espace et en augmentant l'efficacité en déposant du matériau supraconducteur des deux côtés. En raison de la nature mince du wafer de silicium, un wafer de support supplémentaire est requis pendant la fabrication de ce circuit pour permettre le dépôt de film mince métallique sur un substrat chaud d'un côté du wafer. De plus, une couche sacrificielle métallique et polymérique est utilisée pour protéger le substrat de silicium et les couches métalliques supraconductrices pendant l'élimination du silicium indésirable, de l'oxyde enfoui et des couches d'époxy.

Ce processus introduit la méthodologie de fabrication requise pour réaliser des lignes de transmission à ultra-faibles pertes et une ultra-faible diaphonie entre capteurs supraconducteurs.

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