Infineon lance les IGBT7 TRENCHSTOP 1200 V et diodes EC7 pour entraînements industriels

Infineon Technologies introduit ses IGBT7 TRENCHSTOP 1200 V et diodes à commande d'émetteur EC7, conçus pour une densité de puissance plus élevée, un coût système réduit et une taille diminuée. Emballés dans le boîtier Easy familier, ces modules de puissance répondent aux exigences rigoureuses des applications d'entraînement industriel.

Architecture micro-trench de pointe

Basés sur une architecture micro-trench de pointe, les IGBT7 TRENCHSTOP offrent des pertes statiques significativement inférieures à la gamme IGBT4. Leur tension d'état passant est réduite de 20 %, se traduisant par des économies de pertes substantielles — particulièrement précieuses pour les entraînements fonctionnant à des fréquences de commutation modérées. Les modules supportent une température de jonction de surcharge maximale admissible de 175 °C, et présentent une commutation plus douce avec une contrôlabilité améliorée.

Compatibilité et montage PressFit

Les nouveaux modules IGBT7 TRENCHSTOP 1200 V conservent le même brochage que la série IGBT4, simplifiant l'intégration de conception. Ils permettent également un courant de sortie plus élevé dans le même boîtier — ou un courant équivalent dans une empreinte plus petite — permettant aux concepteurs de créer des solutions d'onduleur plus compactes. Toutes les variantes utilisent la technologie de montage PressFit fiable d'Infineon, assurant une faible résistance ohmiques et un assemblage rationalisé.