Mémoire à changement de phase intégrée à échantillonnage ST pour microcontrôleurs automobiles

STMicroelectronics a présenté à l'IEDM2018 les tests d'architecture et de performances d'une technologie basée sur le FD-SOI 28 nm avec mémoire à changement de phase intégrée (ePCM) conçue pour ses microcontrôleurs automobiles. Les produits de ST basés sur l'ePCM sont actuellement échantillonnés auprès des clients alpha, avec des essais sur le terrain répondant aux exigences des applications automobiles et une qualification technologique complète attendue en 2020. Ces MCU, les premiers au monde à utiliser l'ePCM, cibleront les systèmes de transmission, les passerelles avancées et sécurisées, la sécurité /Applications ADAS et électrification des véhicules.

Avec des applications automobiles plus exigeantes, les contraintes sur la puissance de traitement, l'atténuation de la consommation d'énergie et les exigences de mémoire plus importantes poussent à de nouvelles architectures de microcontrôleurs automobiles. L'une des demandes les plus difficiles concerne les mémoires embarquées plus grandes, car la complexité et la taille du micrologiciel augmentent considérablement. ePCM présente une solution à ces défis au niveau de la puce et du système, répondant aux exigences automobiles pour AEC-Q100 Grade 0, fonctionnant à des températures allant jusqu'à +165 °C. De plus, la technologie de ST assure la conservation du micrologiciel/des données grâce à des processus de soudage par refusion à haute température et une immunité aux rayonnements, pour une sécurité supplémentaire des données.