Comprendre ROM, PROM, EPROM et EEPROM : conception, programmation et identification

La mémoire morte (ROM) partage de nombreux principes de conception avec la RAM, mais son mécanisme de verrouillage est conçu pour un unique cycle d'écriture irréversible. La ROM la plus basique utilise de minuscules fusibles qui peuvent être sélectivement grillés pour encoder l'information binaire ; une fois un fusible rompu, les données ne peuvent être altérées, rendant ces circuits intrinsèquement programmables une seule fois.

En raison de cette capacité d'écriture unique, de tels dispositifs sont connus sous le nom de Mémoires Mortes Programmables (PROM). Certaines mémoires programmables, cependant, peuvent être effacées avec un effort considérable, créant un hybride entre RAM et ROM. Celles-ci sont appelées Mémoires Mortes Programmables Effaçables (EPROM) — un nom reflétant leur capacité unique à être effacées et reprogrammées.

Les EPROM existent en deux variantes principales : les EPROM effaçables par UV (UV-EPROM) et les EPROM effaçables électriquement (EEPROM). Les deux types reposent sur des MOSFETs avec des verrous de charge capacitifs. Les UV-EPROM sont effacées en exposant la puce à la lumière ultraviolette, tandis que les EEPROM peuvent être effacées et réécrites électriquement.

Les EPROM sont facilement identifiables par une fenêtre en verre transparent qui expose le die silicium à la lumière. Après programmation, la fenêtre est scellée avec du ruban pour protéger les données de l'illumination ambiante. La programmation nécessite généralement des tensions plus élevées que celles utilisées en opération lecture seule.

FICHES DE TRAVAIL ASSOCIÉES :

• Fiche de travail sur les dispositifs de mémoire