Alliage de cuivre de tungstène pour les matériaux d'emballage électroniques

Alliage cuivre tungstène pour matériaux d'emballage électronique

Alliage cuivre tungstène (alliage W-Cu) est un alliage qui combine les avantages du tungstène et cuivre . Plus précisément, il présente non seulement les caractéristiques d'un point de fusion élevé, d'une densité élevée et d'un faible coefficient de dilatation du tungstène métallique, mais également de bonnes propriétés de conductivité électrique et thermique du cuivre métallique. Il est donc souvent utilisé comme matériau d'emballage microélectronique. Dans cet article, examinons de plus près l'alliage de tungstène et de cuivre pour les matériaux d'emballage électronique .

Alliage cuivre tungstène pour matériaux d'emballage électronique

Il convient de noter que le coefficient de dilatation thermique et la conductivité thermique de l'alliage W-Cu peuvent être modifiés en ajustant la composition du cuivre tungstène pour le rendre plus compatible avec la dilatation thermique coefficient de la puce. De plus, la rugosité de surface et la planéité de l'alliage affecteront sérieusement la qualité de la puce. D'une manière générale, plus la qualité d'aspect de l'alliage est élevée, plus il est bénéfique pour l'amélioration des performances de la puce.

Méthodes de production courantes d'alliages de tungstène et de cuivre

1. Métallurgie des poudres :le processus technologique de la métallurgie des poudres est la pulvérisation → le mélange des ingrédients → le moulage sous presse → l'infiltration par frittage → le travail à froid. Cette méthode produit des produits avec une mauvaise uniformité, et il y a beaucoup de vides, la densité est inférieure à 98%, l'opération est lourde, l'efficacité de production est faible et il est difficile de produire en masse.

2. Moulage par injection :il s'agit de mélanger de la poudre de nickel , poudre de tungstène de cuivre ou poudre de fer avec poudre de tungstène , puis ajoutez un adhésif organique pour le moulage par injection, puis utilisez un nettoyage à la vapeur et une irradiation pour éliminer le liant, et frittez dans de l'hydrogène pour obtenir un produit à haute densité.

3. Méthode de poudre d'oxyde de cuivre : La poudre d'oxyde de cuivre est réduite pour obtenir du cuivre, puis le cuivre est formé en une matrice continue dans le compact fritté, et le tungstène est utilisé comme cadre de renforcement, puis la poudre mélangée est frittée dans un relativement faible -température d'hydrogène gazeux humide pour obtenir le produit.

4. Méthode d'infiltration du cadre en tungstène :d'abord, la poudre de tungstène est pressée dans une forme et frittée dans un cadre en tungstène avec un certain degré de porosité, puis le cuivre est infiltré. Cette méthode convient à la préparation de produits en tungstène et en cuivre à faible teneur en cuivre, mais les produits présentent les inconvénients d'une faible densité et d'une conductivité électrique et thermique inadéquate.

Conclusion 

Merci d'avoir lu notre article et nous espérons qu'il pourra vous aider à mieux comprendre l'alliage de cuivre et de tungstène pour les matériaux d'emballage électronique. Si vous souhaitez en savoir plus sur les alliages de tungstène et de cuivre ou d'autres métaux réfractaires et alliages, nous vous conseillons de visiter Métaux réfractaires avancés (ARM) pour plus d'informations.

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