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Capteur à semi-conducteurs pour la détection et la caractérisation des champs électriques

Le Langley Research Center de la NASA a développé un circuit intégré à semi-conducteurs basé sur un transistor à effet de champ (FET). Appelé ergFET, le capteur caractérise les propriétés électroniques des matériaux, permettant la détection d'éléments tels que les bagages, le câblage et les liquides, et peut même être utilisé pour l'imagerie médicale telle que l'électrocardiogramme à distance.

Ce transistor à effet de champ à grille d'inversion d'équilibre (ergFET) déploie une électrode près de la grille du transistor pour contrôler et inverser les courants de fuite typiques des transistors et pouvant entraîner des erreurs de mesure. Il peut être intégré dans un réseau pour permettre une imagerie à plus haute résolution et est un dispositif à semi-conducteurs sans pièces mobiles. Cela permet des conceptions de capteurs portables et portables.

La NASA recherche activement des licenciés pour commercialiser cette technologie. Veuillez contacter le Concierge des licences de la NASA à Cette adresse e-mail est protégée contre les robots spammeurs. Vous devez activer Javascript pour le voir. ou appelez le 202-358-7432 pour entamer des discussions sur les licences. Suivez ce lien ici pour plus d'informations.


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